買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利一種利用極性加固技術的12T抗輻射SRAM單元、模塊、電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072184B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310136591.4，技術領域涉及：G11C11/41；該發明授權一種利用極性加固技術的12T抗輻射SRAM單元、模塊、電路是由趙強;陳杰;程偉;李鵬飛;許鑫;吳秀龍;郝禮才;彭春雨;藺智挺設計研發完成，并于2023-02-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種利用極性加固技術的12T抗輻射SRAM單元、模塊、電路在說明書摘要公布了：本發明涉及模擬集成電路技術領域，更具體的，涉及一種利用極性加固技術的12T抗輻射SRAM單元，采用該種單元電路布局的模塊、以及基于該種單元電路設計的抗輻射電路。本發明基于極性加固技術對存儲節點Q、QB進行了NMOS管加固，只會產生負向脈沖，而該脈沖由于柵電容的存在不能影響其他晶體管的狀態，這使得存儲節點Q、QB有效避免發生翻轉；同時外圍節點S0、S1數據反饋保證了內部節點Q、QB可以在發生翻轉后恢復至初始狀態，從而使得單元在保證容限性能不掉隊的情況，實現了抗輻照性能的提升，可實現部分雙節點出現SEU也能恢復。

本發明授權一種利用極性加固技術的12T抗輻射SRAM單元、模塊、電路在權利要求書中公布了：1.一種利用極性加固技術的12T抗輻射SRAM單元，其特征在于，包括：PMOS晶體管P1，其源極電連接VDD； PMOS晶體管P2，其源極電連接VDD，柵極電連接P1的漏極； PMOS晶體管P3，其源極電連接P1的漏極，柵極電連接P1的柵極、P2的漏極； PMOS晶體管P4，其源極電連接P2的漏極，柵極電連接P1的漏極； NMOS晶體管N1，其源極電連接P3的漏極，柵極電連接P4的柵極； NMOS晶體管N2，其源極電連接P4的漏極，柵極電連接P3的柵極； NMOS晶體管N3，其漏極電連接N1的漏極、并設置有存儲節點Q，柵極電連接N2的漏極，源極電連接GND； NMOS晶體管N4，其漏極電連接N2的漏極、并設置有存儲節點QB，柵極電連接N1的漏極，源極電連接GND； NMOS晶體管N5，其漏極電連接P1的漏極、并設置有冗余節點S0，柵極電連接N2的漏極，源極電連接GND； NMOS晶體管N6，其漏極電連接P2的漏極、并設置有冗余節點S1，柵極電連接N1的漏極，源極電連接GND； NMOS晶體管N7，其源極電連接位線BL，柵極電連接字線WL，漏極電連接N1的漏極；以及 NMOS晶體管N8，其源極電連接位線BLB，柵極電連接字線WL，漏極電連接N2的漏極； 其中，存儲節點Q被N1、N3、N4、N7包圍，存儲節點QB被N2、N3、N4、N8包圍，構成極性加固結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區九龍路111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。