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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種自支撐離子型COFs膜截面制樣方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116296667B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310176345.1，技術領域涉及：G01N1/28；該發明授權一種自支撐離子型COFs膜截面制樣方法是由陳芳;縣維鵬;莊錦;孫琦設計研發完成，并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種自支撐離子型COFs膜截面制樣方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種自支撐離子型COFs膜截面制樣方法，包括以下步驟：（一）預制折斷槽；（二）表面修飾；（三）貼合；（四）斷裂。本發明以單拋單晶硅片作為COFs膜的支撐載體，將COFs膜轉移到單拋單晶硅片上，使膜和單拋單晶硅片緊密貼合，利用單拋單晶硅片的單晶解理斷裂機制（在外力作用下沿111晶面發生解理斷裂）帶動COFs膜的斷裂，從而以獲得大范圍的平整的膜截面區域，同時便于COFs膜平整地轉移到SEM截面臺上。

本發明授權一種自支撐離子型COFs膜截面制樣方法在權利要求書中公布了：1.一種自支撐離子型COFs膜截面制樣方法，其特征在于，包括以下步驟： （一）預制折斷槽 取一矩形單拋單晶硅片，在單拋單晶硅片背面間隔設置若干折斷槽，所述折斷槽與單拋單晶硅片的解理面平行； （二）表面修飾 （1）將步驟（一）中的單拋單晶硅片，用去離子水、乙酸乙酯及乙醇連續沖洗后，靜置風干； （2）將步驟（1）中的單拋單晶硅片置于濃硫酸和過氧化氫的混合溶液中，加熱后冷卻，取出單拋單晶硅片，用去離子水洗凈，靜置風干； （3）將步驟（2）中的單拋單晶硅片置于3-氨丙基三甲氧基硅烷的丙酮溶液中，在惰性氣體氛圍下浸泡后取出，依次用去離子水、乙醇洗滌，干燥，即得表面修飾的單拋單晶硅片； （三）貼合 將洗凈后的COFs膜浸泡在液體介質中，用步驟（3）得到的單拋單晶硅片正面朝上，使COFs膜與單拋單晶硅片正面貼合后將COFs膜從溶劑中撈出，干燥； （四）斷裂 將步驟（三）中得到的單拋單晶硅片正面朝上，用受力物抵在折斷槽內后，下壓該折斷槽兩側的單拋單晶硅片，使單拋單晶硅片與COFs膜共同沿該折斷槽斷裂，按此操作即可得到矩形的COFs膜截面樣品。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310007 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。