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龍圖騰網獲悉上海航天電子通訊設備研究所申請的專利一種ABF膜高密度基板布線制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116130365B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310175685.2，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種ABF膜高密度基板布線制造方法是由丁蕾;羅江波;陳靖;孫斌;麻仕豪;陳凱設計研發完成，并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種ABF膜高密度基板布線制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種ABF膜高密度基板布線制造方法，包括以下步驟：在襯底基板邊緣的兩側分別形成激光通孔定位標記和布線光刻定位標記；利用布線光刻定位標記，在襯底上制備第一層薄膜布線層；將裁剪后的ABF膜真空層壓到第一層薄膜布線層上，并進行固化；利用布線光刻定位標記，在ABF膜表面光刻出通孔掩膜；利用激光通孔定位標記和通孔掩膜進行雙重精準定位，進行激光鉆孔，形成布線通孔；利用布線光刻定位標記，在ABF膜上制備第二層薄膜布線層。該制造方法利用真空層壓工藝，改變了原PCB板的層壓板級工藝中的工藝復雜、尺寸結構受限的問題；同時利用激光標記以及通孔掩膜雙重精準定位，可實現層間的可靠互連，從而滿足ABF膜高密度的薄膜布線互連。

本發明授權一種ABF膜高密度基板布線制造方法在權利要求書中公布了：1.一種ABF膜高密度基板布線制造方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：在襯底基板邊緣的兩側均進行激光打標，分別形成激光通孔定位標記和布線光刻定位標記； S2：利用所述布線光刻定位標記，采用薄膜工藝在所述步驟S1的襯底上制備第一層薄膜布線層； S3：裁剪ABF膜，將裁剪后的ABF膜真空層壓到第一層薄膜布線層上，并進行固化； S4：利用所述布線光刻定位標記，在所述步驟S3的ABF膜表面光刻出通孔掩膜； S5：利用所述激光通孔定位標記和通孔掩膜進行雙重精準定位，進行激光鉆孔，形成布線通孔； S6：利用所述布線光刻定位標記，采用薄膜工藝在所述步驟S5的ABF膜上制備第二層薄膜布線層； S7：重復S3-S6的步驟，制備出第三層及以上的薄膜布線層，得到所述的ABF膜高密度基板布線； 其中，所述步驟S2中的薄膜工藝具體包括： S201：在所述步驟S1的襯底上濺射第一層復合薄膜粘附層； S202：利用所述布線光刻定位標記，在所述第一層復合薄膜粘附層之上進行光刻，形成第一層復合薄膜光刻掩膜； S203：圖形電鍍第一層金屬導電層； S204：去膠、濕法腐蝕，將裸露表面的第一層復合薄膜粘附層去除，形成第一層薄膜布線層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海航天電子通訊設備研究所，其通訊地址為：201109 上海市閔行區中春路1777號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。