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龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利一種基于TFET的單邊沿主從觸發器及觸發模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116346088B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310216710.7，技術領域涉及：H03K3/012；該發明授權一種基于TFET的單邊沿主從觸發器及觸發模塊是由盧文娟;張穎;吳秀龍;高珊;黎軒;彭春雨;藺智挺設計研發完成，并于2023-03-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于TFET的單邊沿主從觸發器及觸發模塊在說明書摘要公布了：本發明涉及動態隨機存取存儲技術領域，更具體的，涉及一種基于TFET的單邊沿主從觸發器，又稱為TDFF，以及基于該TDFF設計的觸發模塊。本發明的TDFF包括12個PTFET晶體管、13個NTFET晶體管、一個反相器INV。本發明基于TFET構建觸發器，沒有使用傳輸門或傳輸管結構，進而避免了傳輸門引起的正偏P?I?N電流問題，而是通過中間節點和時鐘信號CLK來控制數據的正確傳輸。本發明的CLK雖然為單相時鐘，但配合TFET晶體管的電路設計，無需對CLK設置時鐘反相器也能實現觸發器功能。并且經過仿真測試，本發明的功耗指標低，具有較大的較大優勢。

本發明授權一種基于TFET的單邊沿主從觸發器及觸發模塊在權利要求書中公布了：1.一種基于TFET的單邊沿主從觸發器，其特征在于，包括： 反向器INV，其輸入端連接輸入信號D，輸出端連接反相信號DB； PTFET晶體管P1，其源極連接電源VDD，柵極連接時鐘信號CLK； PTFET晶體管P2，其源極連接P1的漏極，柵極連接輸入信號D； PTFET晶體管P3，其源極連接電源VDD，柵極連接反相信號DB； PTFET晶體管P4，其源極連接P3的漏極，柵極連接時鐘信號CLK； PTFET晶體管P5，其源極連接電源VDD，柵極連接P2的漏極并設置有中間節點DN； NTFET晶體管N1，其漏極連接P2的漏極，柵極連接P4的漏極并設置有中間節點A； NTFET晶體管N2，其源極接地GND，柵極連接輸入信號D，漏極連接N1的源極； NTFET晶體管N3，其漏極連接P4的漏極，柵極連接反相信號DB； NTFET晶體管N4，其源極接地GND，柵極連接時鐘信號CLK，漏極連接N3的源極； NTFET晶體管N5，其源極連接N4的漏極，柵極連接P5的漏極并設置有中間節點B，漏極連接P5的柵極并設置有中間節點DN； PTFET晶體管P6，其源極連接電源VDD，柵極連接時鐘信號CLK； PTFET晶體管P7，其源極連接電源VDD，柵極連接中間節點A； PTFET晶體管P8，其源極連接P7的漏極，柵極連接中間節點B； PTFET晶體管P9，其源極連接電源VDD，柵極連接P6的漏極并設置有中間節點C； PTFET晶體管P10，其源極連接電源VDD，柵極連接時鐘信號CLK； PTFET晶體管P11，其源極連接P10的漏極，漏極連接P9的漏極并設置有輸出節點Q； PTFET晶體管P12，其源極連接電源VDD，柵極連接P9的漏極； NTFET晶體管N6，其源極接地GND，柵極連接P5的柵極，漏極連接P5的漏極； NTFET晶體管N7，其源極連接N4的漏極，柵極連接N6的柵極，漏極連接P5的漏極； NTFET晶體管N8，其漏極連接P6的漏極，柵極連接時鐘信號CLK； NTFET晶體管N9，其源極接地GND，柵極連接中間節點B，漏極連接N8的源極； NTFET晶體管N10，其漏極連接P9的漏極，柵極連接時鐘信號CLK； NTFET晶體管N11，其源極接地GND，柵極連接P9的柵極，漏極連接N10的源極； NTFET晶體管N12，其源極連接N11的漏極，柵極連接P11的柵極，漏極連接P11的漏極；以及 NTFET晶體管N13，其源極接地GND，柵極連接P12的柵極并設置有中間節點QN，漏極連接P12的漏極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區九龍路111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。