中國電子科技集團公司第五十八研究所張世琳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第五十八研究所申請的專利一種基于DICE結構SRAM的存內計算單元以及陣列獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116340256B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310323805.9，技術領域涉及：G06F15/78；該發明授權一種基于DICE結構SRAM的存內計算單元以及陣列是由張世琳;張國賢;呂廣維;徐曉斌;王星;趙霽設計研發完成，并于2023-03-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于DICE結構SRAM的存內計算單元以及陣列在說明書摘要公布了：本發明涉及存內計算技術領域，特別涉及一種基于DICE結構SRAM的存內計算單元以及陣列，存內計算單元包括DICE結構存儲單元；讀訪問電路C，由MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6組成；讀訪問電路D，由MOS管M7、MOS管M8和MOS管M9組成。存內計算陣列包括一行基于DICE結構的標準存儲單元、n行m列的所述存內計算單元和m個復用的邏輯運算單元；所述邏輯運算單元還包括四個MOS管MM1、MM2、MM3、MM4。本發明的存內計算單元能夠增加單元的穩定性、降低讀寫干擾的影響，進而提升計算的穩定性，此外通過控制實現兩種不同邏輯運算，增加運算功能豐富性。
本發明授權一種基于DICE結構SRAM的存內計算單元以及陣列在權利要求書中公布了：1.一種基于DICE結構SRAM的存內計算單元，其特征在于，包括： DICE結構存儲單元； 讀訪問電路C，由MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6組成；其中MOS管M6作為所述讀訪問電路C的訪問管，通過連接在柵極的字線RWL_C來使能所述DICE結構存儲單元的數據輸出，漏極連接MOS管M4和MOS管M5的源極；其中MOS管M4和MOS管M5的柵極連接在所述DICE結構存儲單元的QA和QB節點處，其漏極分別作為存內計算單元輸出的讀出信號線BLC和BLCB； 讀訪問電路D，由MOS管M7、MOS管M8和MOS管M9組成；其中MOS管M9作為讀訪問電路D的訪問管，通過連接在柵極的字線RWL_D來使能所述DICE結構存儲單元的數據輸出，漏極連接MOS管M7和MOS管M8的源極；其中MOS管M7和MOS管M8的柵極連接在所述DICE結構存儲單元的QC和QD節點處，其漏極分別作為存內計算單元輸出的讀出信號線BLD和BLDB。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第五十八研究所，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區惠河路5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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