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龍圖騰網獲悉黑龍江大學申請的專利基于十字形結構陣列的太陽能吸收器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116465106B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310489302.9，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權基于十字形結構陣列的太陽能吸收器是由高揚;孫鵬飛;蘇麗晶;周亞新;聶思函;李鑫設計研發完成，并于2023-05-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于十字形結構陣列的太陽能吸收器在說明書摘要公布了：本發明基于十字形結構陣列的太陽能吸收器屬于微納光電子技術領域；由多個可調控結構單元在XOY平面周期排列構成，太陽光以平面波形式入射，每個可調控結構單元由下到上依次為基底層、緩沖層和天線；基底層和緩沖層的形狀為正方形，天線的形狀包括設置在緩沖層正中間的正十字形結構和設置在緩沖層邊緣的T形結構，兩個可調控結構單元排列在一起，相鄰兩個T形結構構成一個非正十字形結構；天線包括材料為SiN4的上層結構和材料為W的下層結構，上層結構和下層結構的形狀、大小和擺放方向相同；本發明結構簡單，在584.2nm?2802.1nm的寬帶范圍內的平均吸收率為94.1％，且不受光源的偏振情況影響，在0°～60°入射角范圍內都有較好的吸收效果。

本發明授權基于十字形結構陣列的太陽能吸收器在權利要求書中公布了：1.基于十字形結構陣列的太陽能吸收器，由多個可調控結構單元在XOY平面周期排列構成，太陽光以平面波形式入射，每個所述可調控結構單元由下到上依次為Ti材料的基底層1、SiO2材料的緩沖層2和天線3；所述基底層1和緩沖層2的形狀為正方形，所述天線3包括上層結構3-1和材料為W的下層結構3-2； 定義所述基底層1、緩沖層2和天線3的相對位置為：所述基底層1所在平面為XOY平面，即水平面，基底層1中心位置與坐標原點重合，基底層1的兩組對邊分別平行于X軸和Y軸，所述緩沖層2與基底層1的形狀、大小和擺放方向相同； 其特征在于， 所述天線3的形狀包括設置在緩沖層2正中間的正十字形結構和設置在緩沖層2邊緣的T形結構，兩個可調控結構單元排列在一起，相鄰兩個T形結構構成一個非正十字形結構；所述上層結構3-1的材料為Si3N4，所述上層結構3-1和下層結構3-2的形狀、大小和擺放方向相同；在所述天線3中的正十字形結構中，橫與豎分別平行于X軸和Y軸，在所述天線3中的T形結構中，橫與緩沖層2的邊界重合，橫與豎的交點位于緩沖層2的邊界中心。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人黑龍江大學，其通訊地址為：150080 黑龍江省哈爾濱市南崗區學府路74號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。