北京世紀金光半導體有限公司邱艷麗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京世紀金光半導體有限公司申請的專利一種SiC MOSFET器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116344588B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310565977.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種SiC MOSFET器件及其制備方法是由邱艷麗;孫博韜;徐妙玲;林信南;張晨;修德琦;韓麗楠設計研發完成，并于2023-05-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種SiC MOSFET器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種SiCMOSFET器件及其制備方法，該SiCMOSFET器件通過在漂移區形成多個間隔排布的反型注入區，使任相鄰兩個反型注入區和介于該相鄰兩個反型注入區之間的漂移區構成JFET區，即JFET區向襯底方向延伸，從而使最大電場位置遠離器件表面而向漂移區內部轉移，還使得最大電場位置和最大電流密度集中的溝道區域相分離，且漂移區電流密度分布更加均勻，因此，器件在短路后的熱點不再集中于溝道附近的器件表面，而是更靠近襯底，且更均勻地分布在漂移區，以減少柵氧化層和柵極金屬熔化的失效概率，延遲熱逃逸發生時間，降低熱點溫度，提高器件抗短路耐受能力，增大器件短路耐受時間。
本發明授權一種SiC MOSFET器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種SiCMOSFET器件，其特征在于，包括： SiC襯底； 位于所述SiC襯底一側的第一漂移區，所述SiC襯底和所述第一漂移區均為第一型摻雜； 位于所述第一漂移區背離所述SiC襯底一側、沿第一方向間隔排布的阱區，所述阱區為第二型摻雜，所述阱區內設置源區，所述源區為所述第一型摻雜，所述第一方向平行于所述SiC襯底所在平面； 所述第一漂移區包括介于相鄰兩個所述阱區之間的第一區域和位于所述第一區域及所述阱區靠近所述SiC襯底一側的第二區域，所述第二區域設置有多個沿所述第一方向間隔排布的反型注入區，所述反型注入區為第二型摻雜； 位于所述第一漂移區背離所述SiC襯底一側的柵氧化層、柵極、隔離介質層和源極，以及位于所述SiC襯底背離所述第一漂移區一側的漏極。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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