黑龍江大學高揚獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉黑龍江大學申請的專利基于金納米陣列的太陽能吸收器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116839236B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311004444.8,技術領域涉及:G02B5/00;該發明授權基于金納米陣列的太陽能吸收器是由高揚;蘇麗晶;周亞新;聶思函;李鑫;孫鵬飛設計研發完成,并于2023-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于金納米陣列的太陽能吸收器在說明書摘要公布了:本發明基于金納米陣列的太陽能吸收器屬于微納光電子技術領域;由金納米單元在XOY平面周期排列構成,太陽光以平面波形式入射,每個所述金納米單元由下到上依次為基底層、分布式布拉格反射鏡層、二維材料層和天線層;所述分布式布拉格反射鏡層包括五層分布式布拉格反射鏡DBR;所述基底層、分布式布拉格反射鏡層和二維材料層在XOY平面上的投影重合,且為正方形,天線層在XOY平面上的投影為圓形,所述正方形和所述圓形同心;本發明結構簡單,在400nm?700nm的可見光范圍內的平均吸收率為80%,且不受光源的偏振情況影響,在0°~60°入射角范圍內都有較好的吸收效果。
本發明授權基于金納米陣列的太陽能吸收器在權利要求書中公布了:1.基于金納米陣列的太陽能吸收器,由金納米單元在XOY平面周期排列構成,太陽光以平面波形式入射,其特征在于,每個所述金納米單元由下到上依次為基底層1、分布式布拉格反射鏡層2、二維材料層3和天線層4;所述分布式布拉格反射鏡層2包括五層分布式布拉格反射鏡DBR;所述基底層1、分布式布拉格反射鏡層2和二維材料層3在XOY平面上的投影重合,且為正方形,天線層4在XOY平面上的投影為圓形,所述正方形和所述圓形同心; 所述基底層1為Si材料,所述分布式布拉格反射鏡DBR由下到上依次為Al2O3材料層2-1和Si材料層2-2,所述二維材料層3為PtS2二維材料,所述天線層4為Au材料;所述天線層4的尺寸為直徑0.08μm×0.7μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人黑龍江大學,其通訊地址為:150080 黑龍江省哈爾濱市南崗區學府路74號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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