無錫金源半導體科技有限公司崔仁權獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉無錫金源半導體科技有限公司申請的專利一種雙通道噴淋裝置及薄膜沉積設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116875960B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311105579.3,技術領域涉及:C23C16/455;該發明授權一種雙通道噴淋裝置及薄膜沉積設備是由崔仁權;李鎬贊設計研發完成,并于2023-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種雙通道噴淋裝置及薄膜沉積設備在說明書摘要公布了:本申請涉及薄膜沉積領域,尤其涉及一種雙通道噴淋裝置及薄膜沉積設備。雙通道噴淋裝置,包括噴淋板,噴淋板上設置有若干噴淋孔;蓋板,蓋合于所述噴淋板上,并與噴淋板之間形成噴淋腔室;蓋板內還設有加熱件和勻氣腔室,勻氣腔室與噴淋腔室相通;第一進氣管,與勻氣腔室連通;第二進氣管,與噴淋腔室連通。從第一進氣管進入的反應氣體流通到噴淋腔室的邊緣,從第二進氣管進入的反應氣體流通到噴淋腔室的中部,從而使噴淋腔室噴出的氣體均勻分散到晶圓上。
本發明授權一種雙通道噴淋裝置及薄膜沉積設備在權利要求書中公布了:1.一種雙通道噴淋裝置,其特征在于,包括: 噴淋板1,所述噴淋板1上設置有若干噴淋孔12; 蓋板2,蓋合于所述噴淋板1上,并與所述噴淋板1之間形成噴淋腔室11;所述蓋板2內還設有加熱件31和勻氣腔室41,所述勻氣腔室41與所述噴淋腔室11相通; 所述蓋板2包括相互疊合的加熱板3和勻氣板4,所述加熱件31安裝在加熱板3內,所述勻氣腔室41形成于加熱板3與勻氣板4之間; 第一進氣管21,所述加熱板3上開設有第一通孔34和第二通孔35,所述第一進氣管21的端部穿過所述第一通孔34并與所述勻氣腔室41連通; 第二進氣管22,所述勻氣板4的中部開設有第三通孔42,所述第二通孔35和所述第三通孔42串通,所述第二進氣管22的端部穿過第二通孔35和第三通孔42并與所述噴淋腔室11的中部連通; 其中,所述勻氣板4上還開設有勻氣孔413,所述勻氣孔413位于所述第三通孔42的外側,所述勻氣孔413與所述噴淋腔室11連通。
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