湖北九峰山實驗室胡昌宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利利用壓電效應提供驅動電壓的MOSCAP調制器系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118783218B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410757621.8，技術領域涉及：H01S3/00；該發明授權利用壓電效應提供驅動電壓的MOSCAP調制器系統是由胡昌宇;應豪;沈曉安;柳俊設計研發完成，并于2024-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本利用壓電效應提供驅動電壓的MOSCAP調制器系統在說明書摘要公布了：本發明提供利用壓電效應提供驅動電壓的MOSCAP調制器系統，能夠實現無外加電源的自驅動，包括：壓電摩擦納米發電結構，包括靜電材料、壓電材料、連接于靜電材料和壓電材料之間充當平板電容的緩沖層、與靜電材料連接的金屬電極?P電極、透明電極?N電極、連接于壓電材料和透明電極?N電極之間的鍵合層；以及基于金屬氧化物半導體電容器的微環調制器，包括與透明電極?N電極遠離中間壓電材料一面連接的絕緣介質層、基于SOI襯底的脊形波導、與脊形波導連接的平板層硅重摻雜區；透明電極?N電極同時作為微環調制器的上電極，平板層硅重摻雜區作為微環調制器的下電極；下電極連接一接觸電極，接觸電極為金屬電極。
本發明授權利用壓電效應提供驅動電壓的MOSCAP調制器系統在權利要求書中公布了：1.利用壓電效應提供驅動電壓的MOSCAP調制器系統，其特征在于，能夠實現無外加電源的自驅動，包括： 壓電摩擦納米發電結構PTENG，包括靜電材料、壓電材料、連接于靜電材料和壓電材料之間充當平板電容的緩沖層、與靜電材料連接的金屬電極-P電極、透明電極-N電極、連接于壓電材料和透明電極-N電極之間的鍵合層；以及 基于金屬氧化物半導體電容器的MOSCAP微環調制器，包括與透明電極-N電極遠離中間壓電材料一面連接的絕緣介質層、基于SOI襯底的脊形波導、與脊形波導連接的平板層硅重摻雜區； 所述透明電極-N電極同時作為微環調制器的上電極，透明電極材料通過沉積工藝沉積在絕緣介質層上，平板層硅重摻雜區作為微環調制器的下電極； 所述下電極連接一接觸電極，所述接觸電極為金屬電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區九龍湖街9號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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