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龍圖騰網(wǎng)獲悉矽卓光電技術(shù)(天津)有限公司申請的專利一種基于電容陣列充放電的驅(qū)動系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111431029B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910023362.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/042；該發(fā)明授權(quán)一種基于電容陣列充放電的驅(qū)動系統(tǒng)是由馮永茂;吳金祥;孫哲;徐秀知;王奕如設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-01-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于電容陣列充放電的驅(qū)動系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本公開揭示了一種基于電容陣列充放電的驅(qū)動系統(tǒng)，包括：輸入端充電功率變換模塊、電容陣列、輸出端放電功率變換模塊、PWM模塊和MCU主控模塊。本公開克服了現(xiàn)有驅(qū)動系統(tǒng)中存在的輸出電壓、電流可調(diào)范圍小、參數(shù)設(shè)置不靈活以及驅(qū)動電流的上升下降沿的波形線性度不夠而導致系統(tǒng)有功功率下降的問題，通過利用電容陣列的高效率、快速充放電的特性靈活的匹配輸入輸出電壓、電流，以實現(xiàn)輸入電壓、輸出電壓自適應和高峰值脈沖輸出，滿足大功率半導體激光器的驅(qū)動要求。

本發(fā)明授權(quán)一種基于電容陣列充放電的驅(qū)動系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于電容陣列充放電的驅(qū)動系統(tǒng)，包括：輸入端充電功率變換模塊、電容陣列、輸出端放電功率變換模塊、PWM模塊和MCU主控模塊； 所述輸入端充電功率變換模塊包括系統(tǒng)電源和充電功率變換原理電路，其中，充電功率變換原理電路用于將系統(tǒng)電源的電能進行調(diào)壓處理并轉(zhuǎn)化為適于電容陣列存儲的電能； 所述充電功率變換原理電路包括第一MOSFET驅(qū)動電路和第一拓撲電路；其中， 所述第一MOSFET驅(qū)動電路的輸入端與PWM模塊的輸出端及MCU主控模塊電連接，輸出端與MOSFET管Q3、Q4的柵極及第一拓撲電路電連接，用于接收PWM模塊輸出的PWM信號以驅(qū)動MOSFET管Q3、Q4的導通或關(guān)斷； 所述第一拓撲電路包括Buck拓撲模式和Boost拓撲模式； 所述電容陣列包括若干并聯(lián)連接的電容，用于存儲經(jīng)所述充電功率變換原理電路轉(zhuǎn)化后的系統(tǒng)電源的電能； 所述輸出端放電功率變換模塊包括放電功率變換原理電路和脈沖驅(qū)動負載，其中，放電功率變換原理電路用于將電容陣列所存儲的電能進行調(diào)壓處理并傳輸至脈沖驅(qū)動負載； 所述放電功率變換原理電路包括第二MOSFET驅(qū)動電路和第二拓撲電路；其中， 所述第二MOSFET驅(qū)動電路輸入端與PWM模塊的輸出端及MCU主控模塊電連接，輸出端與MOSFET管Q5、Q6、Q7、Q8的柵極及第一拓撲電路電連接，用于接收PWM模塊輸出的PWM信號以驅(qū)動MOSFET管Q5、Q6、Q7和Q8導通或者關(guān)斷； 所述第二拓撲電路包括Buck拓撲模式和Boost拓撲模式； 所述PWM模塊能夠產(chǎn)生PWM調(diào)制信號，用于驅(qū)動充電功率變換原理電路和放電功率變換原理電路； 所述MCU主控模塊用于采集所述輸入端充電功率變換模塊、輸出端放電功率變換模塊的電壓、電流信號并輸出用于控制PWM模塊的控制信號； 第一MOSFET驅(qū)動電路采用具有可編程死區(qū)時間的MOSFET驅(qū)動器MDR；PWM模塊輸出端CMD-PWM串接電阻R2后與MDR的Pin8電連接；MCU輸出端CMD-EN串接電阻R3后與MDR的Pin7電連接；MDR的Pin6串接電阻R4后接地，電阻R4的大小決定輸出PWM的死區(qū)時間；VCC電源串接電阻R1后分為三個分支，第一個分支連接并聯(lián)電容C1和電容C2后接地，用來濾除電源紋波，第二個分支與MDR的Pin1電連接，第三個分支與二極管D1的正極電連接；MDR的Pin2連接二極管D1的負極，同時Pin2連接電容C3后與Pin4連接；MDR的Pin3與Pin4之間串接電阻R6；MDR的Pin3連接電阻R5后與Q3的柵極連接；MDR的Pin10串接電阻R8后接地，同時Pin10連接電阻R7后與Q4的柵極連接；MDR的Pin5和Pin9都接地；MDR的Pin3和Pin10的輸出信號相位相差180°，以防止Q3與Q4同時導通，以避免電源與地接通，瞬時電流過大從而燒壞電路； 第二MOSFET驅(qū)動電路上同樣采用具有可編程死區(qū)時間的MOSFET驅(qū)動器MDR2；PWM模塊的輸出端DRM-PWM串接電阻R10后與MDR2的Pin8電連接；MCU輸出端DRM-EN串接電阻R11后與MDR2的Pin7電連接；MDR2的Pin6串接電阻R12后接地，電阻R12的大小決定輸出PWM的死區(qū)時間；VCC電源串接電阻R9之后分為三個分支，第一個分支連接并聯(lián)電容C6和電容C7后接地，用來濾除電源紋波，第二個分支與MDR2的Pin1電連接，第三個分支與二極管D2的正極電連接；MDR2的Pin2連接二極管D2的負極，同時Pin2連接電容C8后與Pin4連接；MDR2的Pin3分成三個分支，第一分支連接電阻R14后與Q5的柵極連接，第二分支連接電阻R13后與Q7的柵極連接，第三分支連接電阻R15后接Pin4；MDR2的Pin10分成三個分支，第一分支連接電阻R17后與Q6的柵極連接，第二分支連接電阻R16后與Q8的柵極連接，第三分支連接電阻R18后接地；MDR2的Pin5和Pin9都接地；MDR2的Pin3和Pin10的輸出信號相位相差180°，防止Q5、Q7與Q6、Q8同時導通，以避免電源與地接通，瞬時電流過大從而燒壞電路。

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