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龍圖騰網獲悉武漢大學申請的專利一種超薄共形PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構電極、其制備方法及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119297190B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411446203.3，技術領域涉及：H01M4/04；該發明授權一種超薄共形PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構電極、其制備方法及應用是由李照東;李九龍;姜有全;王麗容;陳超宇;劉勝設計研發完成，并于2024-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種超薄共形PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構電極、其制備方法及應用在說明書摘要公布了：本發明涉及鎂基電池電極材料的技術領域，具體涉及一種超薄共形PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構電極、其制備方法及應用，步驟為：真空抽濾法制備碳納米管膜集流體；常壓化學氣相沉積生長VSe2鱗片；在制備的一體電極表面采用EDOT單體和氧化劑反復交替脈沖噴入沉積，得到PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構一體電極。本發明的制備方法簡單，可控。無額外的添加成分，因此無非活性物質的額外重量，1T相的VSe2具有金屬性質，電導率可達1000Scm?1具有很強的電子轉移能力而不需要額外的導電劑。具有高導電、高比容量的特性，并通過PEDOT涂層包覆解決離子反復插脫層間引起的機械退化問題。

本發明授權一種超薄共形PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構電極、其制備方法及應用在權利要求書中公布了：1.一種超薄共形PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：真空抽濾法制備碳納米管膜集流體：將多壁碳納米管加入溶劑中，并超聲處理以獲得充分分散的多壁碳納米管懸浮液，然后進行真空抽濾得到碳納米管膜片，干燥后得到碳納米管膜集流體； S2：常壓化學氣相沉積生長VSe2鱗片：使用具有單獨溫度控制的兩區管式爐，將Se粉至于上游溫區，將VCl3粉置于上游溫區與下游溫區之間，將碳納米管膜集流體置于VCl3粉下游處，在一定載氣量的惰性氣氛下將上游溫區和下游溫區分別加熱至350-370℃和600-650℃并保持一定時間，隨后自然冷卻，最終得到直接生長在碳納米管膜集流體表面的VSe2一體電極， S3：分子層沉積PEDOT包覆層：在步驟S2制備的一體電極表面采用EDOT單體和氧化劑反復交替脈沖噴入沉積，得到PEDOT涂層包覆的VSe2自支撐結構一體電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢大學，其通訊地址為：430072 湖北省武漢市武昌區八一路299號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。