中國科學院重慶綠色智能技術研究院戴玉潔獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中國科學院重慶綠色智能技術研究院申請的專利一種具有納米球光刻3D溝道的有機電化學晶體管獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223391622U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422507399.4，技術領域涉及：H10K10/46；該實用新型一種具有納米球光刻3D溝道的有機電化學晶體管是由戴玉潔;劉鴻;常林;盧虹穎設計研發完成，并于2024-10-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有納米球光刻3D溝道的有機電化學晶體管在說明書摘要公布了：本實用新型涉及一種具有納米球光刻3D溝道的有機電化學晶體管，屬于微電子器件技術領域。該有機電化學晶體管最下層為襯底層，在襯底層上面為電極層，所述電極層包括源電極、漏電極和柵電極；在源電極和漏電極之間為有機半導體溝道；所述有機半導體層溝道通過納米球光刻方法形成3D表面結構，該表面結構包括凹陷和凸起，形成凹凸不平立體三維結構形狀，以增加比表面積、孔徑，提升有機電化學晶體管性能。本實用新型的晶體管半導體溝道通過納米球光刻的方法形成3D表面結構，從而使溝道的比表面積增加，提升器件響應速度的同時避免穿孔對器件跨導的負面影響，進而提升傳感器檢測靈敏度。
本實用新型一種具有納米球光刻3D溝道的有機電化學晶體管在權利要求書中公布了：1.一種具有納米球光刻3D溝道的有機電化學晶體管，其特征在于：該有機電化學晶體管最下層為襯底層，在襯底層上面為電極層，所述電極層包括源電極、漏電極和柵電極；在源電極和漏電極之間為有機半導體溝道；所述有機半導體溝道通過納米球光刻方法形成3D表面結構，該表面結構包括凹陷和凸起，形成凹凸不平立體三維結構形狀。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院重慶綠色智能技術研究院，其通訊地址為：400722 重慶市北碚區方正大道266號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號