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龍圖騰網獲悉江蘇師范大學申請的專利一種量子點電吸收調制器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119758617B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411957243.4，技術領域涉及：G02F1/017；該發明授權一種量子點電吸收調制器及其制備方法是由趙波;秦金源;殷琪深設計研發完成，并于2024-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種量子點電吸收調制器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種量子點電吸收調制器及其制備方法，該電吸收調制器從下至上依次包括N接觸電極層、InP襯底、InP緩沖層、InGaAsP下分別限制層、多周期InAs量子點有源層、InGaAsP上分別限制層、InP間隔層、InP蓋層、InGaAs接觸層及P接觸電極層。在InP緩沖層、InGaAsP下分別限制層及多周期InAs量子點有源層的兩側分布InP半絕緣層，在InGaAsP上分別限制層、InP間隔層的兩側分布InP阻擋層，在P電極兩側分布BCB層。本發明的電吸收調制器能夠在更低偏壓下具有更大的消光比的同時，提高其帶寬。

本發明授權一種量子點電吸收調制器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種量子點電吸收調制器，其特征在于，該電吸收調制器從下至上依次包括N接觸電極層（1）、InP襯底（2）、InP緩沖層（3）、InGaAsP下分別限制層（4）、多周期InAs量子點有源層（5）、InGaAsP上分別限制層（6）、InP間隔層（7）、InP蓋層（8）、InGaAs接觸層（9）及P接觸電極層（10）；其中，在所述InP緩沖層（3）、InGaAsP下分別限制層（4）及多周期InAs量子點有源層（5）的兩側分布InP半絕緣層（11），在所述InGaAsP上分別限制層（6）、InP間隔層（7）的兩側分布InP阻擋層（12），在P接觸電極層（10）兩側分布BCB層（13）； 多周期InAs量子點有源層（5）的周期數為1-20，每層均為InAs量子點（14），且量子點上覆蓋10-40nm厚的InGaAsP勢壘層（15）； 所述InP半絕緣層（11）為Ru摻雜，折射率為3.1-3.2，電阻率為108-109Ω·m，其寬度為1-5μm； 所述InP阻擋層（12）為n型摻雜，折射率為3.1-3.2，其寬度為1-5μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇師范大學，其通訊地址為：221116 江蘇省徐州市銅山新區上海路101號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。