成都航天博目電子科技有限公司劉琦獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉成都航天博目電子科技有限公司申請的專利一種三維異質異構集成微系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119786471B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411991255.9,技術領域涉及:H01L23/48;該發明授權一種三維異質異構集成微系統是由劉琦;郭富維;周煉;侯健宏;閆玉凱;文超設計研發完成,并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種三維異質異構集成微系統在說明書摘要公布了:本發明公開了一種高可靠性多通道三維異質異構集成微系統,包括頂層硅基轉接板上焊球、頂層硅基轉接板、頂層硅基轉接板內硅通孔、頂層硅基轉接板下表面頻率選擇結構、中間層硅基轉接板、中間層硅基轉接板硅通孔、低功耗芯片器件、底層硅基轉接板上表面再布線、底層硅基轉接板內硅通孔、底層硅基轉接板、底層硅基轉接板下表面焊球、高溫共燒陶瓷基板、高溫共燒陶瓷基板下表面頻率選擇結構、直接鍍銅陶瓷基板圍壩、大功率芯片器件、直接鍍銅陶瓷基板、高導熱材料,頻率選擇結構分別設置在低功耗芯片器件和大功率芯片器件正上方,為金屬結構,用于吸收特定頻率下的電磁波。本發明能夠提高系統的電磁穩定性,提升系統的導熱率,整體提高系統的可靠性。
本發明授權一種三維異質異構集成微系統在權利要求書中公布了:1.一種三維異質異構集成微系統,其特征在于,包括頂層硅基轉接板上焊球、頂層硅基轉接板、頂層硅基轉接板內硅通孔、頂層硅基轉接板下表面頻率選擇結構、中間層硅基轉接板、中間層硅基轉接板硅通孔、低功耗芯片器件、底層硅基轉接板上表面再布線、底層硅基轉接板內硅通孔、底層硅基轉接板、底層硅基轉接板下表面焊球、高溫共燒陶瓷基板、高溫共燒陶瓷基板下表面頻率選擇結構、直接鍍銅陶瓷基板上圍壩、大功率芯片器件、直接鍍銅陶瓷基板、高導熱材料; 頂層硅基轉接板、中間層硅基轉接板以及底層硅基轉接板構成硅基封裝,所述高溫共燒陶瓷基板、直接鍍銅陶瓷基板上圍壩以及直接鍍銅陶瓷基板構成陶瓷封裝,所述低功耗芯片器件放置在底層硅基轉接板上,通過金絲鍵合到底層硅基轉接板上表面再布線上,實現層內信號互聯,通過底層硅基轉接板內硅通孔、底層硅基轉接板下表面金屬層和底層硅基轉接板下表面焊球實現硅基封裝和陶瓷封裝之間信號互聯,通過中間層硅基轉接板硅通孔、頂層硅基轉接板內硅通孔以及頂層硅基轉接板上焊球實現信號與外部接口的互聯; 直接鍍銅陶瓷基板上圍壩從直接鍍銅陶瓷基板上電鍍形成,與高溫共燒陶瓷基板焊接密封,高導熱材料嵌入在直接鍍銅陶瓷基板內部,大功率芯片器件放置在高導熱材料上,直接鍍銅陶瓷基板上圍壩用于實現高溫共燒陶瓷基板與直接鍍銅陶瓷基板之間的信號互聯; 頂層硅基轉接板下表面頻率選擇結構以及高溫共燒陶瓷基板下表面頻率選擇結構分別設置在低功耗芯片器件和大功率芯片器件正上方,為金屬結構,用于吸收特定頻率下的電磁波; 所述高導熱材料包括鉬銅和金剛石銅。
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