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龍圖騰網(wǎng)獲悉吉林大學(xué)申請(qǐng)的專利一種硅基和鐵電材料異質(zhì)集成的電光調(diào)制器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119846863B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510139201.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02F1/05；該發(fā)明授權(quán)一種硅基和鐵電材料異質(zhì)集成的電光調(diào)制器是由李冰;尹悅鑫;曾國(guó)宴;楊賞賜;周明輝;張大明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種硅基和鐵電材料異質(zhì)集成的電光調(diào)制器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種硅基和鐵電材料異質(zhì)集成的電光調(diào)制器，屬于光學(xué)調(diào)制器技術(shù)領(lǐng)域。從下至上依次由硅基襯底、下包層、光波導(dǎo)芯層、上包層組成，光波導(dǎo)芯層為基于貝塞爾形多模干涉耦合器的MZI型結(jié)構(gòu)，由上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層構(gòu)成；上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層均被包覆在上包層之中，上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層之間由上包層分隔開(kāi)；本發(fā)明使用鋯鈦酸鉛、鑭修飾鋯鈦酸鉛、鈦酸鋇等鐵電材料作為上光波導(dǎo)芯層，使用較高折射率的氮化硅、硅作為下光波導(dǎo)芯層，不但有益于降低驅(qū)動(dòng)電壓和實(shí)現(xiàn)多功能、低功耗、大規(guī)模集成的光子器件，而且器件制備工藝簡(jiǎn)單，結(jié)構(gòu)緊湊，可以在較大的帶寬下獲得較小的器件尺寸和較低的額外損耗。

本發(fā)明授權(quán)一種硅基和鐵電材料異質(zhì)集成的電光調(diào)制器在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種硅基和鐵電材料異質(zhì)集成的電光調(diào)制器，其特征在于：從下至上依次由硅基襯底、下包層、光波導(dǎo)芯層、上包層組成，光波導(dǎo)芯層采用三維集成的方式，為上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層的兩層結(jié)構(gòu)；上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層均被包覆在上包層之中，上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層之間由上包層分隔開(kāi)；光波導(dǎo)芯層為MZI型結(jié)構(gòu)，由位于下光波導(dǎo)芯層中的輸入直波導(dǎo)1、1×2輸入貝塞爾形多模干涉耦合器2、第一輸入S彎曲波導(dǎo)3、第二輸入S彎曲波導(dǎo)4、第一輸入下層楔形波導(dǎo)5、第二輸入下層楔形波導(dǎo)6、第一輸出下層楔形波導(dǎo)16、第二輸出下層楔形波導(dǎo)17、第一輸出S彎曲波導(dǎo)18、第二輸出S彎曲波導(dǎo)19、2×1輸出貝塞爾形多模干涉耦合器20、輸出直波導(dǎo)21和位于上光波導(dǎo)芯層中的第一輸入上層楔形波導(dǎo)7、第二輸入上層楔形波導(dǎo)8、第一調(diào)制直波導(dǎo)9、第二調(diào)制直波導(dǎo)10、第一輸出上層楔形波導(dǎo)14、第二輸出上層楔形波導(dǎo)15組成；輸入直波導(dǎo)1和輸出直波導(dǎo)21位于同一條直線上，上光波導(dǎo)芯層和下光波導(dǎo)芯層為關(guān)于輸入直波導(dǎo)1和輸出直波導(dǎo)21的對(duì)稱結(jié)構(gòu)；在下光波導(dǎo)芯層中，輸入直波導(dǎo)1連接輸入1×2貝塞爾形多模干涉耦合器2的輸入端，第一輸入S彎曲波導(dǎo)3和第二輸入S彎曲波導(dǎo)4的輸入端分別連接1×2輸入貝塞爾形多模干涉耦合器2的兩個(gè)輸出端，第一輸入S彎曲波導(dǎo)3的輸出端連接第一輸入下層楔形波導(dǎo)5，第二輸入S彎曲波導(dǎo)4的輸出端連接第二輸入下層楔形波導(dǎo)6；第一輸出下層楔形波導(dǎo)16連接第一輸出S彎曲波導(dǎo)18的輸入端，第二輸出下層楔形波導(dǎo)17連接第二輸出S彎曲波導(dǎo)19的輸入端，第一輸出S彎曲波導(dǎo)18和第二輸出S彎曲波導(dǎo)19的輸出端分別連接2×1輸出貝塞爾形多模干涉耦合器20的兩個(gè)輸入端，2×1輸出貝塞爾形多模干涉耦合器20的輸出端連接輸出直波導(dǎo)21；在上光波導(dǎo)芯層中，第一調(diào)制直波導(dǎo)9和第二調(diào)制直波導(dǎo)10作為調(diào)制臂平行設(shè)置，第一輸入上層楔形波導(dǎo)7連接第一調(diào)制直波導(dǎo)9的輸入端，第一調(diào)制直波導(dǎo)9的輸出端連接第一輸出上層楔形波導(dǎo)14；第二輸入上層楔形波導(dǎo)8連接第二調(diào)制直波導(dǎo)10的輸入端，第二調(diào)制直波導(dǎo)10的輸出端連接第二輸出上層楔形波導(dǎo)15；所有楔形波導(dǎo)的尺寸相同，下光波導(dǎo)芯層中的第一輸入下層楔形波導(dǎo)5、第二輸入下層楔形波導(dǎo)6、第一輸出下層楔形波導(dǎo)16、第二輸出下層楔形波導(dǎo)17分別與上波導(dǎo)芯層中的第一輸入上層楔形波導(dǎo)7、第二輸入上層楔形波導(dǎo)8、第一輸出上層楔形波導(dǎo)14、第二輸出上層楔形波導(dǎo)15構(gòu)成上、下平行設(shè)置的層間耦合結(jié)構(gòu)；在上光波導(dǎo)芯層中，在第一調(diào)制直波導(dǎo)9的外側(cè)、第一調(diào)制直波導(dǎo)9和第二調(diào)制直波導(dǎo)10之間、第二調(diào)制直波導(dǎo)10的外側(cè)分別設(shè)置有相互平行的第一接地金屬電極11、信號(hào)金屬電極13和第二接地金屬電極12；下光波導(dǎo)芯層25為氮化硅或硅中的一種，上光波導(dǎo)芯層26為鋯鈦酸鉛、鑭修飾鋯鈦酸鉛或鈦酸鋇中的一種。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人吉林大學(xué)，其通訊地址為：130012 吉林省長(zhǎng)春市長(zhǎng)春高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)前進(jìn)大街2699號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。