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龍圖騰網獲悉南京大學申請的專利一種具有非對稱隔離結構的光敏探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120187126B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510656487.7，技術領域涉及：H10F39/00；該發明授權一種具有非對稱隔離結構的光敏探測器及其制備方法是由馬浩文;曹開瑋;沈凡翔;王凱;李張南;卜曉峰;閆鋒設計研發完成，并于2025-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有非對稱隔離結構的光敏探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有非對稱隔離結構的光敏探測器及其制備方法，屬于光電探測器領域。通過在淺槽隔離密度高的讀取區制備出厚度高的淺槽填充層，在淺槽隔離密度低的感光區制備出厚度低的淺槽填充層，形成非對稱隔離結構，該結構下感光區與深槽電極距離近，具有更優的暗電流抑制效果；而讀取區與所述深槽電極距離遠，能夠緩解局部電場過高導致的熱載流子注入效應，同時降低讀取區晶體管的閾值電壓，使光敏探測器獲得較長的使用壽命。

本發明授權一種具有非對稱隔離結構的光敏探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有非對稱隔離結構的光敏探測器，其特征在于，所述光敏探測器包括襯底（100）和像素隔離結構（200），其中所述像素隔離結構（200）為貫穿襯底（100）的深槽隔離結構，所述襯底（100）被深槽隔離結構隔離為多個襯底像素單元； 每個襯底像素單元中，襯底相背的兩面分別記為正面（110）和背面（120），其中襯底（100）的正面（110）包括有源區（111）和淺槽隔離（112），有源區（111）被淺槽隔離（112）劃分為感光區（110b）和讀取區（110a）； 所述深槽隔離結構包括貫穿襯底的深槽、第一隔離介質（210）以及深槽電極（220），其中，第一隔離介質（210）包括線性氧化層（211）和淺槽填充層（212），線性氧化層（211）介于深槽和襯底（100）之間，深槽電極（220）和淺槽填充層（212）沿襯底（100）背面（120）到正面（110）的方向依次填充于深槽內；其中處于讀取區（110a）區域內的深槽隔離結構中的淺槽填充層（212）的填充高度高于處于感光區（110b）區域內的深槽隔離結構中的淺槽填充層（212）的填充高度；讀取區相比于感光區具有更高的淺槽隔離密度； 所述讀取區（110a）區域內的深槽隔離結構中的淺槽填充層（212）的填充高度與淺槽隔離（112）高度相同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學，其通訊地址為：210023 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。