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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120261401B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510714236.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其制造方法是由陶磊設計研發完成，并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體結構及其制造方法，包括：提供第一晶圓，所述第一晶圓包括中部區域和邊緣區域，所述邊緣區域位于所述中部區域周圍，所述第一晶圓的表面形成有金屬互連層，且所述金屬互連層的位于所述邊緣區域內的部分具有空洞；于所述金屬互連層上形成介質層，所述介質層至少填滿所述空洞；于所述介質層上形成阻擋層，所述阻擋層延伸覆蓋所述金屬互連層的表面和側壁；進行平坦化處理，以暴露所述金屬互連層的表面；對所述第一晶圓進行混合鍵合工藝。本申請減少或避免了金屬互連層發生金屬擴散的風險，同時減少或避免了第一晶圓發生崩邊或晶邊破裂的風險，從而有助于提升晶圓的良率。

本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圓，所述第一晶圓包括中部區域和邊緣區域，所述邊緣區域位于所述中部區域周圍，所述第一晶圓的表面形成有金屬互連層，且所述金屬互連層位于所述邊緣區域內的部分具有空洞； 于所述金屬互連層上形成介質層，所述介質層至少填滿所述空洞； 于所述介質層上形成阻擋層，所述阻擋層延伸覆蓋所述金屬互連層的表面和側壁； 進行平坦化處理，以暴露所述金屬互連層的表面； 對所述第一晶圓進行混合鍵合工藝； 其中，所述金屬互連層包括形成于所述第一晶圓上的層間介質結構以及形成于所述層間介質結構中的溝槽和通孔，所述溝槽和所述通孔內電鍍有金屬材料； 所述層間介質結構的形成過程包括： 于所述第一晶圓上形成第一介質層； 對所述第一介質層進行平坦化處理，去除至多部分所述第一介質層，且所述第一介質層所減薄的厚度與所述第一介質層的總厚度呈對數關系，所述第一介質層的總厚度D與所述第一介質層所減薄的厚度d之間的關系為D=log10d； 于所述第一介質層上形成介質阻擋層； 于所述介質阻擋層上形成第二介質層，以形成包括所述第一介質層、所述介質阻擋層和所述第二介質層的所述層間介質結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。