杭州譜析光晶半導體科技有限公司許一力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種具有溝槽隔離和改進通道結構的垂直D-MOSFET及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120264819B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510734667.2，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種具有溝槽隔離和改進通道結構的垂直D-MOSFET及制備方法是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有溝槽隔離和改進通道結構的垂直D-MOSFET及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種具有溝槽隔離和改進通道結構的垂直D?MOSFET及制備方法，包括由若干個相互并列的MOS元胞構成，單個所述MOS元胞包括漏極、源極、柵極、柵氧化層以及半導體外延層，所述半導體外延層包括N襯底層、N擴散層、P+層、P阱層以及N阱層，所述柵極的截面輪廓呈三角形，所述柵極與柵氧化層的交接處沉積有多晶硅覆蓋層；所述柵氧化層的截面輪廓呈半橢圓形狀，所述多晶硅覆蓋層的截面輪廓呈三角形。本發明通過將柵極的截面輪廓設計為三角形，并控制柵氧化層呈半橢圓形狀，優化了電場分布和載流子遷移路徑，三角形柵極可降低柵極邊緣的電場集中，減少擊穿風險。
本發明授權一種具有溝槽隔離和改進通道結構的垂直D-MOSFET及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有溝槽隔離和改進通道結構的垂直D-MOSFET，包括由若干個相互并列的MOS元胞構成，單個所述MOS元胞包括漏極（1）、源極（2）、柵極（3）、柵氧化層（5）以及半導體外延層，所述半導體外延層包括N襯底層（6）、N擴散層（7）、P+層（8）、P阱層（9）以及N阱層（10），其特征在于：所述柵極（3）的截面輪廓呈三角形，所述柵極（3）與柵氧化層（5）的交接處沉積有多晶硅覆蓋層（4）；所述柵氧化層（5）的截面輪廓呈半橢圓形狀； 所述多晶硅覆蓋層（4）的截面輪廓呈三角形，其中多晶硅覆蓋層（4）兩側的邊處沉積形成有擴展層（11）； 所述擴展層（11）的材質采用氮化鈦或氮化鉭中的一種。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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