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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學申請的專利一種具有非對稱階梯形場氧的LDMOS器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120264814B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510752454.2，技術(shù)領域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)一種具有非對稱階梯形場氧的LDMOS器件是由鐘歡;綦殿禹;許凱;高大為設計研發(fā)完成，并于2025-06-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有非對稱階梯形場氧的LDMOS器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種具有非對稱階梯形場氧的LDMOS器件。本發(fā)明LDMOS器件的場氧結(jié)構(gòu)采用非對稱階梯形，實現(xiàn)STI厚度的非對稱協(xié)同調(diào)控，階梯側(cè)通過梯度擴展場氧邊界，削弱STI拐角處的電場集中，使擊穿電壓提升，非階梯側(cè)的傾斜角度保留厚場氧區(qū)域，抑制源極側(cè)電場尖峰，延緩雪崩擊穿，同時降低熱載流子注入風險。該結(jié)構(gòu)兼顧了擊穿能力與導通效率的協(xié)同優(yōu)化，特別適用于對低損耗與高可靠性要求兼具的高壓BCD平臺，是一種具有工藝兼容性強、設計靈活性高的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新方案。

本發(fā)明授權(quán)一種具有非對稱階梯形場氧的LDMOS器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有非對稱階梯形場氧結(jié)構(gòu)的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 襯底1； 柵極7，形成于所述襯底1上方； 漂移區(qū)2、第一阱區(qū)4，分別形成在所述襯底1的兩側(cè)，且所述第一阱區(qū)4與所述漂移區(qū)2間存在距離； 第二阱區(qū)5，形成在所述漂移區(qū)2內(nèi)； 體區(qū)8，形成在所述第一阱區(qū)4內(nèi)； 非對稱階梯形場氧結(jié)構(gòu)3，形成在所述漂移區(qū)2內(nèi)； 漏極11，形成在所述第二阱區(qū)5內(nèi)； 源極10和體極12，形成在所述體區(qū)8內(nèi)； 其中，所述非對稱階梯形場氧結(jié)構(gòu)3為一體成型結(jié)構(gòu)，包括從下至上配置的底部梯形結(jié)構(gòu)3-2、頂部梯形結(jié)構(gòu)3-1；所述底部梯形結(jié)構(gòu)3-2的朝向所述第一阱區(qū)4側(cè)壁與所述頂部梯形結(jié)構(gòu)3-1的朝向所述第一阱區(qū)4側(cè)壁位于同一直線；所述頂部梯形結(jié)構(gòu)3-1的下端與所述底部梯形結(jié)構(gòu)3-2的上端連接，且所述頂部梯形結(jié)構(gòu)3-1的下端長度大于所述底部梯形結(jié)構(gòu)3-2的上端。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江大學，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。