福建金石能源有限公司林朝暉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建金石能源有限公司申請的專利一種低UVID的背接觸電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120529686B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511014953.8，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種低UVID的背接觸電池及其制備方法是由林朝暉;林楷睿;林錦山;張超華;楊清霖;廖培燦;吳遠濤;黃曉狄設計研發完成，并于2025-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低UVID的背接觸電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于背接觸電池技術領域，具體涉及一種低UVID的背接觸電池及其制備方法，包括：S2、在硅片背面依次形成第一半導體層和掩膜層；S3、形成第二半導體開口區；S4、制絨清洗；S5、采用遠程等離子體源，在遠程等離子設備中對硅片正面進行磷烷處理，以在硅片表面摻雜形成淺摻雜區，淺摻雜區的摻雜深度為0.01?0.5μm；S6、然后采用遠程等離子設備先進行低氧氧化、再進行高氧氧化，從而使處在硅片表面的淺摻雜區形成富氧摻磷區；低氧氧化采用的遠程等離子體源中氧氣的含量低于高氧氧化采用的遠程等離子體源中氧氣的含量。本發明能夠在兼顧提升電池轉換效率的同時，改善UVID的衰減性能，提升電池穩定性。
本發明授權一種低UVID的背接觸電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種低UVID的背接觸電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： S1、提供雙面拋光的硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半導體層和掩膜層； S3、在S2所得背面進行第一次刻蝕開口，形成第二半導體開口區； S4、制絨清洗，在硅片正面及第二半導體開口區上形成絨面，之后完全去除掩膜層或保留部分掩膜層； S5、采用遠程等離子體源，在遠程等離子設備中對硅片正面進行磷烷處理，以在硅片表面摻雜形成淺摻雜區，淺摻雜區的摻雜深度為0.01-0.5μm； S6、然后采用遠程等離子設備進行氧氣氧化，氧氣氧化包括先進行低氧氧化、再進行高氧氧化，從而使處在硅片表面的淺摻雜區形成富氧摻磷區；低氧氧化采用的遠程等離子體源中氧氣的含量低于高氧氧化采用的遠程等離子體源中氧氣的含量； S7、在正面依次形成鈍化層和減反層，之后去除背面繞鍍層及清洗第二半導體開口區； S8、在S7所得背面沉積第二半導體層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建金石能源有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市經濟開發區(五里園)泉源路17號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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