株式會社半導體能源研究所柳澤悠一獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社半導體能源研究所申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113491006B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080016065.9，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由柳澤悠一;方堂涼太;岡本悟設計研發完成，并于2020-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。該半導體裝置包括第一絕緣體、第一絕緣體上的第一氧化物、設置于第一絕緣體與第一氧化物之間的第二絕緣體、與第一絕緣體接觸且與第一氧化物的側面接觸的第二氧化物、第一絕緣體、第二氧化物及第一氧化物上的第三絕緣體，第三絕緣體包括與第一氧化物的頂面接觸的區域，第二絕緣體及第三絕緣體包含與第二氧化物相比不容易透過氧的材料。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 第一絕緣體； 所述第一絕緣體上的第一氧化物半導體； 設置于所述第一絕緣體與所述第一氧化物半導體之間的第二絕緣體； 與所述第一絕緣體接觸且所述第一氧化物半導體的側面接觸的第二氧化物半導體；以及 所述第一絕緣體、所述第二氧化物半導體及所述第一氧化物半導體上的第三絕緣體， 其中，所述第三絕緣體包括與所述第一氧化物半導體的頂面接觸的區域， 并且，所述第二絕緣體及所述第三絕緣體包含與所述第二氧化物半導體相比不容易透過氧的材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社半導體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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