西安鼎芯微電子有限公司雷晗獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安鼎芯微電子有限公司申請的專利功率MOS驅(qū)動電路獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN114157278B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202010937236.3,技術領域涉及:H03K17/687;該發(fā)明授權功率MOS驅(qū)動電路是由雷晗;夏云凱設計研發(fā)完成,并于2020-09-08向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本功率MOS驅(qū)動電路在說明書摘要公布了:本申請公開了一種功率MOS驅(qū)動電路,包括:第二NMOS晶體管NM2、第三NMOS晶體管NM3以及設置于第二NMOS晶體管NM2和第三NMOS晶體管NM3之間的鉗位電路3,其中第二NMOS晶體管NM2的源極和第三NMOS晶體管NM3的漏極相連,用于產(chǎn)生輸出控制方波;以及鉗位電路3用于限制輸出控制方波的高電平。
本發(fā)明授權功率MOS驅(qū)動電路在權利要求書中公布了:1.一種功率MOS驅(qū)動電路,其特征在于,包括:第二NMOS晶體管(NM2)、第三NMOS晶體管(NM3)以及設置于所述第二NMOS晶體管(NM2)和所述第三NMOS晶體管(NM3)之間的鉗位電路(3),其中 所述第二NMOS晶體管(NM2)的源極和第三NMOS晶體管(NM3)的漏極相連,用于產(chǎn)生輸出控制方波;以及 所述鉗位電路(3)用于限制所述輸出控制方波的高電平;還包括:為所述功率MOS驅(qū)動電路提供電壓的電源(VCC),并且供電電路(1)包括:限流電路(IDC)、第一齊納二極管(ZD1)、第一電容(C1)、第一NPN晶體管(NPN1)以及第二NPN晶體管(NPN2),其中 所述限流電路(IDC)的正端與所述電源(VCC)連接,并且所述限流電路(IDC)的負端與所述第一齊納二極管(ZD1)的陰極連接; 所述第一齊納二極管(ZD1)的陰極與所述第一NPN晶體管(NPN1)的基極以及所述第二NPN晶體管(NPN2)的基極連接,并且所述第一齊納二極管(ZD1)的陽極與地連接; 所述第一電容(C1)與所述第一齊納二極管(ZD1)并聯(lián)連接; 所述第一NPN晶體管(NPN1)的基極與所述第一齊納二極管(ZD1)的陰極連接,所述第一NPN晶體管(NPN1)的集電極與所述電源(VCC)連接,并且所述第一NPN晶體管(NPN1)的發(fā)射極與電平轉(zhuǎn)換電路(2)連接;以及 所述第二NPN晶體管(NPN2)的基極與所述第一齊納二極管(ZD1)的陰極連接,所述第二NPN晶體管(NPN2)的集電極與所述電源(VCC)連接,以及所述第二NPN晶體管(NPN2)的發(fā)射極與所述電平轉(zhuǎn)換電路(2)連接; 所述電平轉(zhuǎn)換電路(2)包括:電平轉(zhuǎn)換器(21),其中所述電平轉(zhuǎn)換器(21)用于接收輸入控制方波和所述第一NPN晶體管(NPN1)發(fā)射極的輸入電壓,將所述輸入控制方波轉(zhuǎn)換成和所述輸入電壓相匹配的高低電平,并且所述電平轉(zhuǎn)換器(21)包括第一輸入端(211)、第二輸入端(212)、第一輸出端(Q1)以及第二輸出端(Q2),其中 所述電平轉(zhuǎn)換器(21)的第一輸入端(211)與所述第一NPN晶體管(NPN1)的發(fā)射極連接,用于接收所述輸入電壓,并且所述電平轉(zhuǎn)換器(21)的第二輸入端(212)用于接收所述輸入控制方波;以及 所述電平轉(zhuǎn)換器(21)的第一輸出端(Q1)和所述第二輸出端(Q2)用于輸出轉(zhuǎn)換后的電平信號; 所述電平轉(zhuǎn)換電路(2)還包括:PMOS晶體管(PM)以及第一NMOS晶體管(NM1),其中 所述PMOS晶體管(PM)的漏極與第一NMOS晶體管(NM1)的漏極以及所述第二NMOS晶體管(NM2)的柵極連接,所述PMOS晶體管(PM)的源極與所述第二NPN晶體管(NPN2)的發(fā)射極連接,所述PMOS晶體管(PM)柵極與所述電平轉(zhuǎn)換器(21)的第一輸出端(Q1)以及第一NMOS晶體管(NM1)的柵極連接; 所述第一NMOS晶體管(NM1)的柵極與所述電平轉(zhuǎn)換器(21)的第一輸出端(Q1)連接,所述第一NMOS晶體管(NM1)的漏極與所述PMOS晶體管(PM)的漏極以及所述第二NMOS晶體管(NM2)的柵極連接,并且所述第一NMOS晶體管(NM1)的源極與地連接; 所述第二NMOS晶體管(NM2)的柵極與所述PMOS晶體管(PM)的漏極以及所述第一NMOS晶體管(NM1)的漏極連接,所述第二NMOS晶體管(NM2)的漏極與所述電源(VCC)連接,并且所述第二NMOS晶體管(NM2)的源極與第三NMOS晶體管(NM3)的漏極連接;以及 所述第三NMOS晶體管(NM3)的柵極與所述電平轉(zhuǎn)換器(21)的第二輸出端(Q2)連接,所述第三NMOS晶體管(NM3)的漏極與所述第二NMOS晶體管(NM2)的源極連接,并且所述第三NMOS晶體管(NM3)的源極與地連接; 所述鉗位電路(3)包括:第二電容(C2)以及第二齊納二極管(ZD2),其中 所述第二電容(C2)的第一端與所述第二NPN晶體管(NPN2)的發(fā)射極連接,以及所述第二電容(C2)的第二端與所述第二NMOS晶體管(NM2)的源極連接;以及 所述第二齊納二極管(ZD2)的陰極與所述第二NPN晶體管(NPN2)的發(fā)射極連接,以及所述第二齊納二極管(ZD2)的陽極與地連接。
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