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龍圖騰網(wǎng)獲悉美商新思科技有限公司申請(qǐng)的專利基于缺陷概率分布和關(guān)鍵尺寸變化的光刻改進(jìn)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114514473B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080066477.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/20；該發(fā)明授權(quán)基于缺陷概率分布和關(guān)鍵尺寸變化的光刻改進(jìn)是由L·S·梅爾文;Y·P·坎德?tīng)?彥其良;U·K·科洛斯特曼設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于缺陷概率分布和關(guān)鍵尺寸變化的光刻改進(jìn)在說(shuō)明書摘要公布了：某些方面涉及一種用于改進(jìn)光刻配置的方法。在光刻配置中，源照射掩模以曝光晶片上的抗蝕劑。處理器確定基于缺陷的聚焦曝光窗口FEW。基于缺陷的FEW是在晶片上具有可接受缺陷水平的情況下，針對(duì)光刻配置的焦深和曝光寬容度的區(qū)域。基于缺陷的FEW基于在晶片上出現(xiàn)缺陷的預(yù)測(cè)概率分布而被確定。處理器還確定基于關(guān)鍵尺寸CD的FEW。基于CD的FEW是在晶片上具有可接受CD變化水平的情況下，針對(duì)光刻配置的焦深和曝光寬容度的區(qū)域。基于CD的FEW基于晶片上的預(yù)測(cè)CD而被確定。光刻配置基于增加基于缺陷的FEW和基于CD的FEW之間的重疊區(qū)域而被修改。

本發(fā)明授權(quán)基于缺陷概率分布和關(guān)鍵尺寸變化的光刻改進(jìn)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于改進(jìn)光刻配置的方法，所述光刻配置包括照射掩模以曝光晶片上的抗蝕劑的源，所述方法包括： 由處理器基于所述晶片上出現(xiàn)缺陷的預(yù)測(cè)概率分布，來(lái)確定基于缺陷的聚焦曝光窗口，其中所述基于缺陷的聚焦曝光窗口是在所述晶片上具有可接受缺陷水平的情況下，針對(duì)所述光刻配置的焦深和曝光寬容度的區(qū)域， 由處理器基于所述晶片上的預(yù)測(cè)關(guān)鍵尺寸，來(lái)確定基于關(guān)鍵尺寸的聚焦曝光窗口；其中所述基于關(guān)鍵尺寸的聚焦曝光窗口是在所述晶片上具有可接受關(guān)鍵尺寸變化水平的情況下，針對(duì)所述光刻配置的焦深和曝光寬容度的區(qū)域；以及 基于增加所述基于缺陷的聚焦曝光窗口和所述基于關(guān)鍵尺寸的聚焦曝光窗口之間的重疊區(qū)域，來(lái)修改所述光刻配置。

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