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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請的專利具有過孔保護(hù)層的半導(dǎo)體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113540013B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202011412819.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/498；該發(fā)明授權(quán)具有過孔保護(hù)層的半導(dǎo)體裝置是由樸點(diǎn)龍;宋乺智;安振鎬;秦正起;千鎮(zhèn)豪;崔朱逸設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有過孔保護(hù)層的半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：公開了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：過孔鈍化層，設(shè)置在基底的非活性表面上并且包括凹部；貫穿電極，豎直穿透基底和過孔鈍化層；以及過孔保護(hù)層，與過孔鈍化層和貫穿電極共面并且填充所述凹部。所述凹部形成在過孔鈍化層的頂表面中并且設(shè)置為與貫穿電極相鄰。在水平剖視圖中，過孔保護(hù)層具有圍繞貫穿電極的帶狀。

本發(fā)明授權(quán)具有過孔保護(hù)層的半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括： 過孔鈍化層，設(shè)置在基底的非活性表面上并且包括下鈍化層和設(shè)置在下鈍化層上的上鈍化層； 貫穿電極，豎直穿透基底和過孔鈍化層，其中，下鈍化層包括在非活性表面上沿水平方向延伸的下水平部、連接到下水平部并與貫穿電極接觸的下豎直部以及形成在下水平部與下豎直部之間的下凹部，并且其中，上鈍化層包括在下水平部上沿水平方向延伸的上水平部、連接到上水平部并與下豎直部接觸的上豎直部以及形成在上水平部與上豎直部之間的上凹部；以及 過孔保護(hù)層，與過孔鈍化層和貫穿電極水平地疊置并且填充上凹部， 其中，上凹部形成在過孔鈍化層的頂表面中并且與貫穿電極相鄰， 其中，在水平剖視圖中，過孔保護(hù)層具有圍繞貫穿電極的帶狀， 其中，貫穿電極的頂表面、下豎直部的頂表面、上豎直部的頂表面、過孔保護(hù)層的頂表面和上水平部的頂表面彼此共面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。