買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請的專利形成半導(dǎo)體元件的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695092B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011558413.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/266；該發(fā)明授權(quán)形成半導(dǎo)體元件的方法是由陳致中;林伯璋;魏偟任;周偉倫設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本形成半導(dǎo)體元件的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種形成半導(dǎo)體元件的方法，包含提供一基底，具有第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，其中第一區(qū)域包含第一主動區(qū)域和在第一主動區(qū)域上的第一柵極；在第一區(qū)域周圍的第二區(qū)域內(nèi)的基板上設(shè)置虛設(shè)圖案；在基板上設(shè)置光致抗蝕劑圖案，遮蓋第二區(qū)域并包含暴露第一區(qū)域的開口；進(jìn)行離子注入制作工藝，經(jīng)由開口將摻質(zhì)注入到第一區(qū)域內(nèi)未被第一柵極覆蓋的第一主動區(qū)域中，從而在第一主動區(qū)域中形成摻雜區(qū)；進(jìn)行光致抗蝕劑剝離制作工藝，在溫度高于或等于攝氏度下，通過使用SPM溶液去除光致抗蝕劑圖案；以及對基板進(jìn)行清潔處理。

本發(fā)明授權(quán)形成半導(dǎo)體元件的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成半導(dǎo)體元件的方法，包含： 提供基板，具有第一區(qū)域和圍繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域包含至少一個第一主動區(qū)域和在所述第一主動區(qū)域上的第一柵極，所述第二區(qū)域包含至少一個第二主動區(qū)域和在所述至少一個第二主動區(qū)域上的第二柵極； 在所述第一區(qū)域周圍的所述第二區(qū)域內(nèi)的基板上設(shè)置虛設(shè)圖案，所述虛設(shè)圖案設(shè)置在所述至少一個第一主動區(qū)域和所述至少一個第二主動區(qū)域之間； 在所述基板上設(shè)置光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案遮蓋所述第二區(qū)域并包含暴露所述第一區(qū)域的開口； 進(jìn)行離子注入制作工藝，經(jīng)由所述開口將摻質(zhì)注入到所述第一區(qū)域內(nèi)未被所述第一柵極覆蓋的所述第一主動區(qū)域中，從而在所述第一主動區(qū)域中形成摻雜區(qū)； 進(jìn)行光致抗蝕劑剝離制作工藝，在溫度高于或等于攝氏120190度下，通過使用硫酸和雙氧水混合溶液以去除所述光致抗蝕劑圖案；以及 對所述基板進(jìn)行清潔處理。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。