環晟光伏(江蘇)有限公司王振剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉環晟光伏(江蘇)有限公司申請的專利一種Topcon電池鈍化結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115692544B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110857270.4，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種Topcon電池鈍化結構的制備方法是由王振剛;宋楠;郁寅瓏;俞超設計研發完成，并于2021-07-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種Topcon電池鈍化結構的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種Topcon電池鈍化結構的制備方法，包括：對N型晶體硅基體分別做制絨、硼擴和刻蝕清洗處理；在所述N型晶體硅基體的表面生長一氧化硅遂穿層；在所述氧化硅遂穿層上沉積一非晶硅層，沉積至部分預設厚度時，向所述非晶硅層進行重磷摻雜；沉積剩余所述預設厚度時，對所述非晶硅層進行輕磷摻雜，然后進行退火；退火后的所述N型晶體硅基體表面鈍化，然后對其金屬化制成電池。本發明的有益效果是通過不同工藝厚度調整通入磷烷的量，控制摻雜磷在非晶硅層中的濃度梯度，低溫退火，減少磷在硅中的擴散速度，保持濃度差異，從而實現隧穿層附近富集高濃度的磷有利于隧穿，多晶硅層中的磷濃度低于隧穿層附近的效果，減少俄歇復合和寄生吸收。
本發明授權一種Topcon電池鈍化結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種Topcon電池鈍化結構的制備方法，包括： 對N型晶體硅基體分別做制絨、硼擴和刻蝕清洗處理； 在處理后的所述N型晶體硅基體的表面生長一氧化硅遂穿層； 在所述氧化硅遂穿層上沉積一非晶硅層，所述非晶硅層的預設厚度為50-200nm；沉積至所述預設厚度的20-30%時，向所述非晶硅層進行重磷摻雜；沉積剩余所述預設厚度時，對所述非晶硅層進行輕磷摻雜； 對摻雜過后的所述N型晶體硅基體進行退火，退火的溫度為800-860℃； 退火后的所述N型晶體硅基體表面鈍化，然后對其金屬化制成電池。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人環晟光伏(江蘇)有限公司，其通訊地址為：214200 江蘇省無錫市宜興市經濟開發區文莊路20號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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