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龍圖騰網(wǎng)獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114512466B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202110911583.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/525；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制備方法是由黃慶玲設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-10向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開是關(guān)于一種具有熔絲結(jié)構(gòu)及反熔絲結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置與其制備方法。該半導(dǎo)體裝置包括設(shè)置于一半導(dǎo)體基底之上的一第一介電層，及設(shè)置于該第一介電層之上的一第一電極。該半導(dǎo)體裝置亦包括設(shè)置于該第一電極之上的一熔絲鏈，及設(shè)置于該熔絲鏈之上的一第二電極。該半導(dǎo)體裝置還包括相鄰設(shè)置于該第一電極的一第三電極，及將該第一電極自該第一介電層與該第三電極分開的一第二介電層。該第一電極、該熔絲鏈、及該第二電極形成一熔絲結(jié)構(gòu)，而該第一電極、該第三電極、及該第二介電層位于該第一電極與該第三電極之間的一部分形成一反熔絲結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，包括： 一第一介電層，設(shè)置于一半導(dǎo)體基底之上； 一第一導(dǎo)電線與一第二導(dǎo)電線，設(shè)置于該第一介電層之上且彼此間互相平行延伸； 一第二介電層，設(shè)置于該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線之間，其中該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線被該第二導(dǎo)電線所覆蓋； 一第三介電層，設(shè)置于該第二介電層之上，其中該第三介電層具有與該第二介電層不同的蝕刻選擇性； 一第一電極，設(shè)置于該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線之間，其中該第一電極具有一圓形輪廓，且該第一電極通過該第二介電層與該第一介電層分開； 一第二電極，設(shè)置于該第一電極之上，其中該第二電極自該第二介電層延伸至該第三介電層；及 一介電部分，設(shè)置于該第一電極與該第二電極之間，其中該第一電極、該第二電極、及該介電部分形成一反熔絲結(jié)構(gòu)； 其中該第一電極與該第一導(dǎo)電線直接接觸，且其中該第一電極與該第一導(dǎo)電線形成一熔絲結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺(tái)灣新北市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。