中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司陳建獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115881727B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111144545.6，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體結構及其形成方法是由陳建設計研發完成，并于2021-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中，方法包括：提供第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一面和第二面；在所述第一面形成第一外延層；在所述第一外延層頂面形成相互分立的若干鰭部結構；在所述第一外延層和鰭部結構表面形成第一器件層；提供第二襯底，所述第二襯底內具有電路；在形成第一器件層后，鍵合第一襯底和第二襯底，第一面朝向第二襯底，并且，所述電路與所述第一器件層電互連；在鍵合第一襯底和第二襯底后，去除所述第一襯底；去除第一襯底后，形成若干第一導電插塞，所述第一導電插塞與所述第一器件層電互連，且第一外延層的底面暴露出若干所述第一導電插塞表面。從而，提高了半導體結構的集成度，同時，還能夠提高半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 第一外延層，所述第一外延層具有相對的頂面和底面； 位于第一外延層頂面且相互分立的若干鰭部結構； 位于第一外延層和若干鰭部結構表面的第一器件層，所述第一器件層包括若干器件結構、若干互連結構和隔離介質結構，所述隔離介質結構包圍所述鰭部結構、互連結構和器件結構； 與第一器件層鍵合的第二襯底，所述第二襯底內具有電路，所述電路與所述第一器件層電互連； 位于第一外延層和第一器件層內的若干第一導電插塞，所述第一導電插塞與所述第一器件層電互連，且第一外延層的底面暴露出若干所述第一導電插塞表面；所述第一導電插塞穿過所述第一外延層和第一器件層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號