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龍圖騰網(wǎng)獲悉佛山奧素博新科技有限公司申請的專利一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115957834B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111190893.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B01L3/00；該發(fā)明授權(quán)一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片及其制備方法是由請求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片，屬于微流控芯片技術(shù)領(lǐng)域，在疏水區(qū)內(nèi)設(shè)置超疏水結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)超疏水功能，超疏水結(jié)構(gòu)是在絕緣層的上方制備特殊形狀的表面微米陣列或納米陣列。本發(fā)明還提供一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片的制備方法，采用雙光子三維光刻設(shè)備在絕緣層的上方制備特殊形狀的表面微米陣列或納米陣列。本發(fā)明的含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片及其制備方法，避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用進(jìn)口含氟疏水材料的方式，能完全實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，不再受國際貿(mào)易因素影響，同時(shí)也節(jié)省了采購和工藝成本，具有重要意義，適用性更廣泛。

本發(fā)明授權(quán)一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種含有超疏水結(jié)構(gòu)的微流控芯片，其特征在于，將芯片范圍劃分為液滴驅(qū)動有效區(qū)和非有效區(qū)，疏水區(qū)的范圍包含所述液滴驅(qū)動有效區(qū)的全部范圍和非有效區(qū)的部分范圍，非有效區(qū)的另一部分范圍為芯片的外圍區(qū)域； 在所述液滴驅(qū)動有效區(qū)內(nèi)設(shè)有液滴驅(qū)動電極陣列用于驅(qū)動液滴流動，在所述疏水區(qū)內(nèi)設(shè)置超疏水結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)超疏水功能，所述超疏水結(jié)構(gòu)是在絕緣層的上方制備特殊形狀的表面微米陣列或納米陣列，實(shí)現(xiàn)兼具絕緣和超疏水的功能； 所述超疏水結(jié)構(gòu)為“T”形狀的表面微米陣列或納米陣列，所述超疏水結(jié)構(gòu)為“T”形狀的表面微米陣列，單元“T”形狀的總體高度為H為1um，“蓋帽”直徑D1為1um，“蓋帽”高度H1為0.3um，支柱直徑D2為0.4um，支柱高度H2為0.7um，相鄰“蓋帽”的距離D3為1um，特殊形狀的表面微米陣列或納米陣列的材質(zhì)為光刻膠。

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