買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉深圳市匯頂科技股份有限公司申請的專利集成MEMS-CMOS超聲波傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114455538B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111210016.1，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權集成MEMS-CMOS超聲波傳感器是由穆斯塔法·索利曼設計研發完成，并于2021-10-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本集成MEMS-CMOS超聲波傳感器在說明書摘要公布了：描述了具有集成MEMS?CMOS實施方式的超聲波感測方法。實施例包括超聲波傳感器陣列，這些超聲波傳感器陣列中的各個檢測器元件的PMUT結構至少部分地集成到CMOSASIC晶圓中。MEMS加熱元件通過在該CMOS晶圓中的這些PMUT結構之下和或在這些PMUT結構之上例如，在保護層中集成來與這些PMUT結構集成。例如，實施例可以避免晶圓鍵合，并且可以減少PMUT超聲波傳感器的常規制作所涉及的其他后加工，同時還改善了熱響應。

本發明授權集成MEMS-CMOS超聲波傳感器在權利要求書中公布了：1.一種制作集成微機電系統和互補金屬氧化物半導體MEMS-CMOS超聲波傳感器元件的方法，所述方法包括： 在CMOS晶圓的加工期間至少部分地在所述CMOS晶圓的一組集成金屬層中沉積第一金屬和第二金屬； 圖案化所述第一金屬以形成第一電極路徑，所述第一電極路徑具有被配置成與電極控制電路系統耦合的第一控制端并且終止于設置在犧牲材料層的頂部上的第一電極； 圖案化所述第二金屬以形成第二電極路徑，所述第二電極路徑具有被配置成與所述電極控制電路系統耦合的第二控制端并且終止于第二電極； 穿過所述第一電極蝕刻所述犧牲材料層，以在所述第一電極下方形成聲學空腔；以及 在至少所述第一電極的頂部上沉積壓電薄膜層，并且圖案化所述壓電薄膜以形成壓電元件，使得所述第一電極和所述第二電極均接觸所述壓電元件； 蝕刻所述犧牲材料層包括：在所述第一金屬形成的所述第一電極的部分中圖案化釋放孔；經由所述釋放孔蝕刻所述犧牲材料層以形成所述聲學空腔； 所述方法進一步包括：在所述蝕刻之后在所述第一電極的頂部上沉積所述第一金屬的共形層或沉積所述壓電薄膜的共形層以密封所述釋放孔，由此形成所述聲學空腔作為低壓空腔； 沉積第三金屬并圖案化所述第三金屬以形成MEMS加熱元件，使得所述MEMS加熱元件的至少一部分定位于所述壓電元件上方和或下方，進一步圖案化所述MEMS加熱元件以與加熱控制電路耦合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市匯頂科技股份有限公司，其通訊地址為：518045 廣東省深圳市福田保稅區騰飛工業大廈B座13層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。