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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利LDMOS集成器件的制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116230639B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111467541.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)LDMOS集成器件的制作方法是由許超奇;陳淑嫻;馬春霞;張儀;徐鵬龍;林峰;曹瑞彬設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本LDMOS集成器件的制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供的LDMOS集成器件的制作方法中，提供的半導(dǎo)體基底具有NLDMOS區(qū)和PLDMOS區(qū)；接著，于半導(dǎo)體基底上形成NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層和PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層，于NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層上和或PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層上形成應(yīng)力材料層，NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層的厚度大于所述PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層的厚度；然后，執(zhí)行熱處理，以調(diào)整應(yīng)力材料層的應(yīng)力；再去除應(yīng)力材料層。如此，能夠提升NLDMOS器件的電子遷移率和或PLDMOS器件的空穴遷移率，實現(xiàn)在同一工藝流程中同時制備高性能NLDMOS和高性能PLDMOS；而且，NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層的厚度大于PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層的厚度，即既能使NLDMOS區(qū)的Bigcontact下的介質(zhì)層厚度滿足其RESURF需求，又能使PLDMOS區(qū)的Bigcontact下的介質(zhì)層厚度滿足其RESURF需求，可以整體提升LDMOS集成器件的Bigcontact的RESURF能力。

本發(fā)明授權(quán)LDMOS集成器件的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種LDMOS集成器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底具有NLDMOS區(qū)和PLDMOS區(qū)；所述NLDMOS區(qū)中形成有P型體區(qū)和N型漂移區(qū)，所述P型體區(qū)內(nèi)的頂部形成有N型源區(qū)，所述N型漂移區(qū)內(nèi)的頂部形成有N型漏區(qū)，所述NLDMOS區(qū)上形成有第一柵極結(jié)構(gòu)；所述PLDMOS區(qū)中形成有N型體區(qū)和P型漂移區(qū)，所述N型體區(qū)內(nèi)的頂部形成有P型源區(qū)，所述P型漂移區(qū)內(nèi)的頂部形成有P型漏區(qū)，所述PLDMOS區(qū)上形成有第二柵極結(jié)構(gòu)； 于所述半導(dǎo)體基底上形成所述NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層和所述PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層，于所述NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層上和或所述PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層上形成應(yīng)力材料層，所述NLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層的厚度大于所述PLDMOS區(qū)上的介質(zhì)層的厚度； 執(zhí)行熱處理，以調(diào)整所述應(yīng)力材料層的應(yīng)力； 去除所述應(yīng)力材料層。

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