江西兆馳半導體有限公司曾家明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種micro-LED及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114566575B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210189085.7，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種micro-LED及其制備方法是由曾家明;鄭文杰;程龍;胡加輝;劉春楊設計研發完成，并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種micro-LED及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種micro?LED及其制備方法，應用于紅光micro?LED，涉及二極管技術領域領域，該micro?LED包括襯底；在所述襯底上依次設有紅光外延準備層、N型InbGa1?bNGaN層、發光層、電子阻擋層、P型InfGa1?fN層及接觸層；在所述發光層與電子阻擋層之間設有一波導層，所述波導層為IneGa1?eN薄膜層，其中，In的組分e為0.01?0.1。本發明能夠解決現有技術中外延層中雜質擴散至發光層中，導致發光效率低下的技術問題。
本發明授權一種micro-LED及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種micro-LED，應用于紅光micro-LED，其特征在于，所述micro-LED包括： 襯底； 在所述襯底上依次設有紅光外延準備層、N型InbGa1-bNGaN層、發光層、電子阻擋層、P型InfGa1-fN層及接觸層； 在所述發光層與電子阻擋層之間設有一波導層，所述波導層為IneGa1-eN薄膜層，其中，In的組分e為0.01-0.1，厚度為5-10nm， 所述發光層為多量子阱層結構，包括若干個周期IncGa1-cN阱層與IndGa1-dN壘層，其中，IncGa1-cN阱層的厚度為1-5nm，In的組分c為0.3-0.5，IndGa1-dN壘層的厚度為5-15nm，In的組分d為0.01-0.1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
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