江西兆馳半導體有限公司胡加輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種藍光LED外延片、外延生長方法及藍光LED芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114709306B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210240547.3，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種藍光LED外延片、外延生長方法及藍光LED芯片是由胡加輝;劉春楊;呂蒙普;金從龍;顧偉設計研發完成，并于2022-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種藍光LED外延片、外延生長方法及藍光LED芯片在說明書摘要公布了：本發明提供一種藍光LED外延片、外延生長方法及藍光LED芯片，該藍光LED外延片包括復合襯底、預處理層和緩沖層，所述預處理層和所述緩沖層沉積于所述復合襯底上，所述緩沖層由第一緩沖層和第二緩沖層依次生長的結構，所述復合襯底為SiO2圖形襯底，所述預處理層和所述第一緩沖層皆為AlN層，所述第二緩沖層為GaN層，其中，所述預處理層的致密性優于所述第一緩沖層的致密性，由于引入了高致密性的預處理層，可以有效減少復合襯底中的SiO2擴散，同時，在預處理層上沉積的第一緩沖層用于應力釋放，從而可以得到更好的GaN外延層，降低缺陷密度，改善了外延層的晶體質量。
本發明授權一種藍光LED外延片、外延生長方法及藍光LED芯片在權利要求書中公布了：1.一種藍光LED外延片，其特征在于，包括層疊設置的復合襯底、預處理層和緩沖層，所述緩沖層為第一緩沖層和第二緩沖層依次生長的結構，所述復合襯底為SiO2圖形襯底，所述預處理層和所述第一緩沖層皆為AlN層，所述第二緩沖層為GaN層，所述預處理層的致密性優于所述第一緩沖層的致密性； 所述藍光LED外延片還包括三維生長的GaN層、不摻雜的GaN層、n型摻雜的GaN層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層以及p型摻雜的GaN層； 所述預處理層、所述緩沖層、所述三維生長的GaN層、所述不摻雜的GaN層、所述n型摻雜的GaN層、所述應力釋放層、所述多量子阱層、所述電子阻擋層以及所述p型摻雜的GaN層依次外延生長在所述復合襯底上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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