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          西安交通大學;國網江蘇省電力有限公司常州供電分公司蔡濱宇獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉西安交通大學;國網江蘇省電力有限公司常州供電分公司申請的專利一種ΣΔ調制器開關電容積分器中使用動態補償的運放結構獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115001502B 。

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210391772.7,技術領域涉及:H03M3/00;該發明授權一種ΣΔ調制器開關電容積分器中使用動態補償的運放結構是由蔡濱宇;王曉飛;陳陽;董磊;張偉設計研發完成,并于2022-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種ΣΔ調制器開關電容積分器中使用動態補償的運放結構在說明書摘要公布了:本發明公開了一種ΣΔ調制器開關電容積分器中使用動態補償的運放結構,包括參考電壓輸入端、反饋DAC電容、采樣電容、信號輸入端、積分電容、全差分折疊共源共柵兩級運放器、第一控制開關、第二控制開關、第三控制開關、第四控制開關、第五控制開關、第六控制開關及第七控制開關,該結構的功耗較低。

          本發明授權一種ΣΔ調制器開關電容積分器中使用動態補償的運放結構在權利要求書中公布了:1.一種ΣΔ調制器開關電容積分器中使用動態補償的運放結構,其特征在于,包括參考電壓輸入端Vref、反饋DAC電容Cref、采樣電容Cs、信號輸入端Vin、積分電容Ci、全差分折疊共源共柵兩級運放器、第一控制開關K1、第二控制開關K2、第三控制開關K3、第四控制開關K4、第五控制開關K5、第六控制開關K6及第七控制開關K7; 參考電壓輸入端Vref經第一控制開關K1與第二控制開關K2的一端及反饋DAC電容Cref的一端相連接,反饋DAC電容Cref的另一端與第三控制開關K3的一端、第四控制開關K4的一端、第五控制開關K5的一端及采樣電容Cs的一端相連接,采樣電容Cs的另一端與第六控制開關K6的一端及第七控制開關K7的一端相連接,第七控制開關K7的另一端與信號輸入端Vin相連接;第四控制開關K4的另一端與積分電容Ci的一端及全差分折疊共源共柵兩級運放器的反相輸入端相連接,積分電容Ci的另一端與全差分折疊共源共柵兩級運放器的輸出端及輸出電容CL的一端相連接; 第二控制開關K2的另一端、第三控制開關K3的另一端、第五控制開關K5的另一端、第六控制開關K6的另一端、全差分折疊共源共柵兩級運放器的同相輸入端及輸出電容CL的另一端均接地; 所述全差分折疊共源共柵兩級運放器包括第一NMOS晶體管M1、第二NMOS晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4、第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八PMOS晶體管M8、第九PMOS晶體管M9、第十PMOS晶體管M10、第十一PMOS晶體管M11、第十二PMOS晶體管M12、第十三PMOS晶體管M13、第十四NMOS晶體管M14、第十五PMOS晶體管M15、第十六NMOS晶體管M16、第十七PMOS晶體管M17、第八PMOS晶體管M8、第一電容器CC1、第二電容器CC2、第三電容器CC3、第四電容器CC4、第一電阻器R1、第二電阻器R2、第十八NMOS晶體管M18、第十九NMOS晶體管M19、第二十NMOS晶體管M20、第二十一PMOS晶體管M21、第二十二PMOS晶體管M22、第五電容器C5、第六電容器C6、第三電阻器R3、第四電阻器R4、負端輸入端Vin-、正端輸入端Vin+、第一偏置電壓節點VB1、第二偏置電壓節點VB2、第三偏置電壓節點VB3、第四偏置電壓節點VB4、電源、共模反饋電壓節點VCMFB、正端輸出端Vout+、負端輸出端Vout-及參考電壓端VREF; 第一NMOS晶體管M1的柵極與正端輸入端Vin+相連,第一NMOS晶體管M1的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連,第一NMOS晶體管M1的漏極與第八PMOS晶體管M8的源極相連; 第二NMOS晶體管M2的柵極與負端輸入端Vin-相連,第二NMOS晶體管M2的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連,第二NMOS晶體管M2的漏極與第九PMOS晶體管M9的源極相連; 第三NMOS晶體管M3的柵極及第四NMOS晶體管M4的柵極與第三偏置電壓節點VB3相連;第三NMOS晶體管M3的漏極與第八PMOS晶體管M8的漏極相連,第三NMOS晶體管M3的源極與第五NMOS晶體管M5的漏極相連; 第四NMOS晶體管M4的漏極與第九PMOS晶體管M9的漏極相連,第四NMOS晶體管M4的源極與第七NMOS晶體管M7的漏極相連;第五NMOS晶體管M5的柵極、第六NMOS晶體管M6的柵極、第七NMOS晶體管M7的柵極及第十八NMOS晶體管M18的柵極與第四偏置電壓節點VB4相連接;第五NMOS晶體管M5的源極、第六NMOS晶體管M6的源極、第七NMOS晶體管M7的源極及第十八NMOS晶體管M18的源極接地; 第八PMOS晶體管M8的柵極及第九PMOS晶體管M9的柵極與第二偏置電壓節點VB2相連接; 第十PMOS晶體管M10的柵極及第十一PMOS晶體管M11的柵極與第一偏置電壓節點VB1相連接;第十PMOS晶體管M10的源極、第十一PMOS晶體管M11的源極、第十二PMOS晶體管M12的源極、第十三PMOS晶體管M13的源極、第十五PMOS晶體管M15的源極和第十七PMOS晶體管M17的源極與電源; 第十二PMOS晶體管M12的柵極、第十三PMOS晶體管M13的柵極、第二十一PMOS晶體管M21的柵極及第二十二PMOS晶體管M22的柵極與共模反饋電壓節點VCMFB相連接; 第十PMOS晶體管M10的漏極及第十二PMOS晶體管M12的漏極與第八PMOS晶體管M8的源極相連接; 第十一PMOS晶體管M11的漏極及第十三PMOS晶體管M13的漏極與第九PMOS晶體管M9的源極相連接; 第十四NMOS晶體管M14的柵極與第三NMOS晶體管M3的漏極相連,第十四NMOS晶體管M14的源極接地,第十四NMOS晶體管M14的漏極及第十五PMOS晶體管M15的漏極與正端輸出端Vout+相連; 第十六NMOS晶體管M16的柵極與第四NMOS晶體管M4的漏極相連,第十六NMOS晶體管M16的源極接地,第十六NMOS晶體管M16的漏極及第十七PMOS晶體管M17的漏極與負端輸出端Vout-相連; 第一電容器CC1的正端與正端輸出端Vout+相連,第一電容器CC1的負端與第一開關S1的一端相連; 第二電容器CC2的正端與正端輸出端Vout+相連,第一開關S1的另一端及第二電容器CC2的負端與第一電阻器R1的一端相連; 第一電阻器R1的另一端與第十四NMOS晶體管M14的柵極相連; 第三電容器CC3的正端與負端輸出端Vout-相連,第三電容器CC3的負端與第二開關S2相連; 第四電容器CC4的正端與負端輸出端Vout-相連,第四電容器CC4的負端與第二電阻器R2的一端相連; 第二電阻器R2的另一端與第十六NMOS晶體管M16的柵極相連; 第十八NMOS晶體管M18的漏極與第十九NMOS晶體管M19及第二十NMOS晶體管M20的源極相連; 第十九NMOS晶體管M19的柵極與參考電壓端VREF相連接,第十九NMOS晶體管M19的漏極與第二十一PMOS晶體管M21的漏極相連; 第二十NMOS晶體管M20的柵極與第五電容器C5的正端及第六電容器C6的正端相連接,第二十NMOS晶體管M20的漏極與第二十二PMOS晶體管M22的漏極相連; 第二十一PMOS晶體管M21的漏極與第二十一PMOS晶體管M21的柵極相連; 第二十二PMOS晶體管M22的漏極與第二十二PMOS晶體管M22的柵極相連; 第五電容器C5的負端與正端輸出端Vout+相連; 第六電容器C6的負端與負端輸出端Vout-相連; 第三電阻器R3的一端與正端輸出端Vout+相連,第三電阻器R3的另一端與第五電容器C5的正端相連; 第四電阻器R4的一端與負端輸出端Vout-相連,第四電阻器R4的另一端與第五電容器C5的正端相連。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學;國網江蘇省電力有限公司常州供電分公司,其通訊地址為:710049 陜西省西安市咸寧西路28號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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