買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利交變電場中可控硅基微納球腔螺旋遷移的研究方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118262841B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410376773.3，技術領域涉及：G16C60/00；該發明授權交變電場中可控硅基微納球腔螺旋遷移的研究方法是由張俐楠;王靖;沈同舟;王洪成;吳立群設計研發完成，并于2024-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本交變電場中可控硅基微納球腔螺旋遷移的研究方法在說明書摘要公布了：本發明涉及交變電場下可控硅基微納球腔螺旋遷移的研究方法，包括：利用激光加工方法對硅基內部進行加工；通過對硅基施加熱場、恒定電場、交變電場，設置不同的溫度以及電場強度和方向，建立熱場、恒定電場作用下微腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型以及熱場、交變電場作用下微腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型；分別將上述數學模型在COMSOL軟件進行仿真模擬。本發明通過施加熱場和均勻電場能夠實現硅基微納球腔形狀保持穩定地定向遷移，能夠實現硅基微納球腔的三維運動，可通過施加交變電場來實現并且控制球腔的三維運動，能夠有效地得到更高質量、更優質性能的微納器件。

本發明授權交變電場中可控硅基微納球腔螺旋遷移的研究方法在權利要求書中公布了：1.交變電場下可控硅基微納球腔螺旋遷移的研究方法，特征在于，包括以下步驟： S1、利用激光加工方法對硅基內部進行加工，以在硅基上形成微納球腔； S2、通過對經過步驟S1處理的硅基施加熱場、恒定電場、交變電場，設置不同的溫度以及電場強度和方向，建立熱場、恒定電場作用下微納球腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型以及熱場、交變電場作用下微納球腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型，對硅基微納球腔周圍原子的分布情況進行分析同時探究球腔表面原子與電子之間的能量交換，從而得到交變電場下可控硅基微納球腔空間螺旋遷移的軌跡狀況； S3、分別將熱場、恒定電場作用下微納球腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型以及熱場、交變電場作用下微納球腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型在COMSOL軟件進行仿真模擬； 所述微納球腔形態穩定的目標參數： ； 其中，為微納球腔的半徑，為硅基材料的有效電荷數，e為電子的電荷，為施加的電壓，是原子的體積，為表面能； 所述熱場、恒定電場作用下微腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型為：，即電場作用下引起的原子的擴散通量和熱場作用下引起的原子的擴散通量之和； ； ； 其中，為原子密度，為電阻率，為硅基材料的自擴散系數，為波爾茨曼常數，為絕對溫度，為硅基材料的激活能，為莫爾熱流量，為電場的電流密度，grad為grad函數； 所述熱場、交變電場作用下微納球腔形態穩定且發生空間螺旋遷移的數學模型為： ； 其中，；； ，以此類推； ，以此類推； 其中，為原子密度，為電場的電流密度，為電阻率，為硅基材料的自擴散系數，為波爾茨曼常數，為絕對溫度，為硅基材料的激活能，為莫爾熱流量，grad為grad函數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州電子科技大學，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市錢塘區白楊街道2號大街1158號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。