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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119815922B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411827946.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/60；該發(fā)明授權(quán)驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板是由龔吉祥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板，驅(qū)動(dòng)背板包括陣列排布在顯示區(qū)的多個(gè)子像素，每個(gè)子像素包括多晶硅晶體管、氧化物晶體管以及存儲(chǔ)電容，驅(qū)動(dòng)背板還包括襯底以及設(shè)置在襯底上的第一半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電層、第二半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電層，第一半導(dǎo)體層形成多晶硅晶體管的有源部，第一導(dǎo)電層形成多晶硅晶體管的柵極，第二半導(dǎo)體層形成氧化物晶體管的有源部和存儲(chǔ)電容的第一極板，第二導(dǎo)電層形成氧化物晶體管的柵極，如此通過(guò)使存儲(chǔ)電容的第一極板與氧化物晶體管的有源部同層設(shè)置，可去掉第二半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電層，從而可簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)背板的膜層，簡(jiǎn)化制備工藝，提高制備效率，降低制作成本。

本發(fā)明授權(quán)驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板在權(quán)利要求書中公布了：1.一種驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，包括顯示區(qū)以及位于所述顯示區(qū)一側(cè)的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)子像素，每個(gè)所述子像素包括多晶硅晶體管、氧化物晶體管以及存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容的一極板與所述多晶硅晶體管的柵極均位于第一導(dǎo)電層，所述存儲(chǔ)電容的另一極板與所述氧化物晶體管的有源部均位于第二半導(dǎo)體層，所述氧化物晶體管的柵極位于第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層位于所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的一側(cè)； 其中，所述驅(qū)動(dòng)背板還包括設(shè)置于所述顯示區(qū)內(nèi)的挖孔區(qū)，所述第一導(dǎo)電層還包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的第一繞線，所述第二導(dǎo)電層還包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的第二繞線，所述第一繞線和所述第二繞線沿相同的方向延伸。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，其通訊地址為：430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道666號(hào)光谷生物創(chuàng)新園C5棟305室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。