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龍圖騰網獲悉深圳平創半導體有限公司;重慶平創半導體研究院有限責任公司申請的專利一種基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119361549B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411885253.1，技術領域涉及：H01L23/367；該發明授權一種基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及制造方法是由王曉;任真偉設計研發完成，并于2024-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種基于SiIGBT和SiCMOSFET的混合功率模塊及制造方法，該混合功率模塊包括：由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片組成的半橋結構，所述半橋結構的每一橋臂均由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片并聯并反向并聯一二極管組成；覆銅陶瓷基板，其用于搭載所述半橋結構，所述覆銅陶瓷基板連接功率端子和信號端子；散熱基板，其與所述覆銅陶瓷基板貼合；封裝殼體，其與所述散熱基板配合對所述覆銅陶瓷基板進行密封封裝，其中所述功率端子集成在所述封裝殼體上。本申請可縮小SiIGBT芯片與SiCMOSFET芯片的結溫差距，降低SiCMOSFET芯片的鍵合線和焊層因長期的高溫和熱應力而失效的風險，提高混合功率模塊的可靠性。

本發明授權一種基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基于SiIGBT和SiCMOSFET的混合功率模塊，其特征在于，包括： 由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片組成的半橋結構，所述半橋結構的每一橋臂均由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片并聯并反向并聯一二極管組成； 覆銅陶瓷基板，其用于搭載所述半橋結構，所述覆銅陶瓷基板連接功率端子和信號端子； 散熱基板，其與所述覆銅陶瓷基板貼合；所述散熱基板背離所述覆銅陶瓷基板的一側設置有板翅結構進行散熱，所述板翅結構正對所述SiCMOSFET芯片所在位置；所述板翅結構包括波浪形，散熱基板背離所述覆銅陶瓷基板的一側還設置有圓柱形針翅以進行散熱，所述圓柱形針翅正對所述SiIGBT芯片所在位置； 封裝殼體，其與所述散熱基板配合對所述覆銅陶瓷基板進行密封封裝，其中所述功率端子集成在所述封裝殼體上；所述SiCMOSFET芯片與一分流電阻串聯，通過檢測所述分流電阻兩端電壓判斷對應芯片的運行狀態。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平創半導體有限公司;重慶平創半導體研究院有限責任公司，其通訊地址為：518102 廣東省深圳市寶安區西鄉街道漁業社區名優采購中心B座B212；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。