中國礦業大學(北京)程潔獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國礦業大學(北京)申請的專利一種用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120041101B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510186127.5，技術領域涉及：C09G1/02；該發明授權一種用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液及其制備方法與應用是由程潔;劉丁未;鄧久帥;張志軍;高碩設計研發完成，并于2025-02-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明涉及化學機械拋光技術領域，本發明公開了一種用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液及其制備方法與應用，包含以下濃度組分：氧化鋁磨粒0.05～0.2wt％；氧化劑0.05～0.2wt％；絡合劑20～80mmolL；去離子水；所述絡合劑為DTPANH45復合型絡合劑；本發明制備的拋光液能有效提高釕柵化學機械拋光過程中的去除速率，同時確保拋光后的釕柵表面具有納米級的表面粗糙度和無缺陷特性，解決由于釕的高硬度，高化學惰性導致的拋光速率低的問題，實現釕柵的高質量表面加工。
本發明授權一種用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液，其特征在于，包含以下濃度組分： 氧化鋁磨粒0.05～0.2wt%； 氧化劑0.05～0.2wt%； 絡合劑20～80mmolL； 去離子水； 所述絡合劑為DTPANH45復合型絡合劑，所述DTPANH45復合型絡合劑結構式如下所示： ； 還包括pH調節劑，所述pH調節劑選自硝酸、氫氧化鉀的一種； 所述氧化劑為過氧化氫； 所述用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液制備方法，包括下列步驟： 1）取二乙烯三胺五乙酸、氨水依次加入去離子水中混合，攪拌并同時向溶液中加入飽和的pH調節劑，直至二乙烯三胺五乙酸完全溶解且溶液pH值為堿性，得到絡合劑； 2）去離子水中加入0.05～0.2wt%的氧化劑，再加入步驟1）制備的20～80mmolL絡合劑，調節pH，得到拋光液； 3）進行拋光時，拋光液中加入0.05～0.2wt%的氧化鋁磨粒，獲得用于芯片高K介質金屬柵釕柵平坦化的拋光液。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國礦業大學(北京)，其通訊地址為：100080 北京市海淀區學院路丁11號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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