深圳新聲半導體有限公司王友良獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳新聲半導體有限公司申請的專利一種改善鍵合結合力的濾波裝置及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119865142B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510353439.0，技術領域涉及：H03H9/54；該發明授權一種改善鍵合結合力的濾波裝置及其制作方法是由王友良;馮端;鄒潔設計研發完成，并于2025-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種改善鍵合結合力的濾波裝置及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種改善鍵合結合力的濾波裝置及其制作方法。涉及濾波技術領域。其中，改善鍵合結合力的濾波裝置包括作為載體的第一襯底、濾波組件以及作為蓋帽的第二襯底；濾波組件形成于第一襯底的一側，并且濾波組件具有第一凹陷結構；以及濾波組件和第二襯底之間具有鍵合結構，鍵合結構覆蓋濾波組件的至少部分表面并填充第一凹陷結構。這種設計不僅增加了鍵合界面的表面積，還使得鍵合材料能夠更深入地滲透到濾波組件的內部，增強了鍵合結構與濾波組件之間的結合力，從而降低鍵合結構與濾波組件分離的風險。進而解決了現有技術中存在的采用D?BAW技術制成的濾波裝置中鍵合結構與濾波組件之間的結合力不佳，容易引發分離的技術問題。
本發明授權一種改善鍵合結合力的濾波裝置及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種改善鍵合結合力的濾波裝置，其特征在于，包括：作為載體的第一襯底、濾波組件、圍欄層以及作為蓋帽的第二襯底；其中 所述濾波組件形成于所述第一襯底的一側，并且所述濾波組件具有第一凹陷結構，所述第一凹陷結構僅貫穿所述濾波組件中的壓電層； 所述圍欄層位于所述第一襯底和所述壓電層之間，具有第二凹陷結構，所述第二凹陷結構貫穿所述圍欄層后與所述第一凹陷結構連通；以及 所述濾波組件和所述第二襯底之間具有鍵合結構，所述鍵合結構覆蓋所述壓電層的至少部分表面并填充所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳新聲半導體有限公司，其通訊地址為：518049 廣東省深圳市福田區梅林街道梅都社區中康路136號深圳新一代產業園3棟801；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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