寧波華儀寧創智能科技有限公司胡舜迪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉寧波華儀寧創智能科技有限公司申請的專利基于氣流對沖輔助的離子化裝置和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120089588B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510559925.8，技術領域涉及：H01J49/16；該發明授權基于氣流對沖輔助的離子化裝置和方法是由胡舜迪;吳鴻飛;曾敬發;甘劍勤設計研發完成，并于2025-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于氣流對沖輔助的離子化裝置和方法在說明書摘要公布了：本發明屬于質譜技術，具體提供了一種基于氣流對沖輔助的離子化裝置和方法，離子化裝置包括真空腔、第一電噴霧離子源和進樣錐，所述第一電噴霧離子源和進樣錐分別設置在真空腔內；還包括：排氣管設置在所述真空腔內；所述第一電噴霧離子源的噴口的中心軸線垂直于進樣錐的中心軸線，所述進樣錐的中心軸線穿過所述排氣管的排氣口，所述排氣口、所述噴口的中心軸線和進樣錐的進樣口依次設置；進氣管設置在所述真空腔內，所述噴口和進氣管的出口關于所述進樣錐的中心軸線對稱；電源為所述噴霧離子源、進氣管、排氣口和進樣錐上施加不同的電壓以形成電場，電場推動樣品離子穿過所述進樣口。本發明具有霧化效率高、抗污染能力強等優點。
本發明授權基于氣流對沖輔助的離子化裝置和方法在權利要求書中公布了：1.一種基于氣流對沖輔助的離子化裝置，包括真空腔、第一電噴霧離子源和進樣錐，所述第一電噴霧離子源和進樣錐分別設置在真空腔內；其特征在于，所述離子化裝置還包括： 排氣管，所述排氣管設置在所述真空腔內；所述第一電噴霧離子源的噴口的中心軸線垂直于進樣錐的中心軸線，所述進樣錐的中心軸線穿過所述排氣管的排氣口，所述排氣口、所述噴口的中心軸線和進樣錐的進樣口依次設置； 進氣管，所述進氣管設置在所述真空腔內，所述噴口和進氣管的出口關于所述進樣錐的中心軸線對稱； 電源，所述電源為所述噴霧離子源、排氣口和進樣錐上施加不同的電壓以形成電場，電場推動樣品離子穿過所述進樣口; 所述進樣錐內具有氣體通道，所述氣體通道連通所述進樣口；氣體依次通過所述氣體通道和進樣口，朝著所述排氣口流動，與第一電噴霧離子源排出的鞘氣和進氣管排出的對稱氣體混合，之后穿過所述排氣口進入排氣管。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人寧波華儀寧創智能科技有限公司，其通訊地址為：315100 浙江省寧波市鄞州區金谷中路(東)288號A幢1-6層、F2幢1層西側；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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