廣東風華芯電科技股份有限公司李子瑩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣東風華芯電科技股份有限公司申請的專利一種高功率半導體封裝及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120149292B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510623720.1,技術領域涉及:H01L23/498;該發明授權一種高功率半導體封裝及其制備方法是由李子瑩;唐慶圓;丁露璐;郭豪杰設計研發完成,并于2025-05-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高功率半導體封裝及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種高功率半導體封裝及其制備方法,涉及半導體封裝技術領域,高功率半導體封裝包括:設置有第一布線層的封裝基板、設置有第二布線層的陶瓷基座以及電性連接在第二布線層上的若干個芯片;陶瓷基座嵌合在封裝基板內,且陶瓷基座基于第三布線層與封裝基板電性連接;封裝基板設置有槽口結構,且槽口結構的邊框位置設置有第一電性通道,槽口結構的內部區域設置有第二電性通道。封裝基板設置有第一高度的第一電性通道以及第二高度的第二電性通道。放置在陶瓷基座上的至少一個芯片頂部通過金屬連接部件與第一電性通道進行連接。通過鑲嵌有布線陶瓷基座層的封裝基板,提升封裝體內部載流能力,降低器件的工作溫度,延長器件的工作壽命。
本發明授權一種高功率半導體封裝及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種高功率半導體封裝,其特征在于,所述高功率半導體封裝包括:設置有第一布線層的封裝基板、設置有第二布線層的陶瓷基座以及電性連接在所述第二布線層上的若干個芯片; 所述陶瓷基座嵌合在所述封裝基板內,且所述陶瓷基座基于第三布線層與所述封裝基板電性連接; 所述第一布線層設置有第一高度的第一電性通道和第二高度的第二電性通道,所述封裝基板設置有槽口結構,且所述槽口結構的邊框位置設置有所述第一電性通道,所述槽口結構的內部區域設置有所述第二電性通道; 所述芯片頂部電極通過電性連接部件與所述第一電性通道連接到半導體封裝底部形成第一電性引腳;所述芯片的至少一個底部電極基于所述陶瓷基座的第二布線層與所述第二電性通道連接到半導體封裝底部形成第二電性引腳; 位于陶瓷基座上的第二布線層設置有若干個焊盤結構,若干個芯片對應貼合在若干個焊盤上; 若干個所述芯片包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片的頂部設置有第一電性電極,所述第一芯片的底部設置有第二電性電極和第三電性電極; 所述第二芯片的底部設置有第四電性電極、第五電性電極和第六電性電極; 所述第一芯片和所述第二芯片的底部電極基于導電介質固定在所述陶瓷基座上; 若干個所述焊盤結構包括用于連接第一芯片底部第二電性電極的第一焊盤以及連接第二芯片底部電極的第二焊盤; 所述第一焊盤和所述第二焊盤基于所述第三布線層與所述封裝基板的第二電性通道電性連接; 所述第一焊盤和所述第二焊盤基于所述第三布線層形成互聯焊盤,所述第一芯片的第二電性電極和所述第二芯片的第四電性電極基于所述互聯焊盤電性連接; 所述槽口結構內設置有配合通槽,所述陶瓷基座嵌合在所述配合通槽內; 所述第三布線層位于所述槽口結構的內部區域,并與第二電性通道相連接。
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