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龍圖騰網(wǎng)獲悉盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司;盛美半導(dǎo)體設(shè)備韓國(guó)有限公司;清芯科技有限公司;盛美半導(dǎo)體設(shè)備(成都)有限公司申請(qǐng)的專利薄膜沉積裝置及薄膜沉積方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120366747B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510874680.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/458；該發(fā)明授權(quán)薄膜沉積裝置及薄膜沉積方法是由戴明宇;周培壟;李天天;費(fèi)紅財(cái);陳更明;成康;金京俊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本薄膜沉積裝置及薄膜沉積方法在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)岢龅谋∧こ练e裝置，包括加熱機(jī)構(gòu)、導(dǎo)向環(huán)、絕緣環(huán)、升降機(jī)構(gòu)、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和控制器，加熱機(jī)構(gòu)包括加熱托盤，用于承載和加熱基板，升降機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)加熱托盤和導(dǎo)向環(huán)上升以進(jìn)行第一次薄膜沉積，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)加熱托盤帶動(dòng)導(dǎo)向環(huán)旋轉(zhuǎn)，使得導(dǎo)向環(huán)放置在絕緣環(huán)上，升降機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)加熱托盤下降以使加熱托盤和導(dǎo)向環(huán)分離，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)加熱托盤回轉(zhuǎn)，升降機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)加熱托盤上升以進(jìn)行第二次薄膜沉積，其中，基板與加熱托盤的相對(duì)位置在第二次薄膜沉積時(shí)與第一次薄膜沉積時(shí)不同。僅設(shè)置一級(jí)升降機(jī)構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了加熱托盤的自轉(zhuǎn)以及基板與加熱托盤的相對(duì)旋轉(zhuǎn)，提升了薄膜沉積的均勻性，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

本發(fā)明授權(quán)薄膜沉積裝置及薄膜沉積方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種薄膜沉積裝置，其特征在于，包括： 加熱機(jī)構(gòu)，包括加熱托盤，用于承載和加熱基板； 導(dǎo)向環(huán)，環(huán)繞所述加熱托盤設(shè)置，所述導(dǎo)向環(huán)的外緣設(shè)有多個(gè)均勻分布的凸起，所述導(dǎo)向環(huán)的內(nèi)徑小于所述基板的直徑； 絕緣環(huán)，同心設(shè)置在所述導(dǎo)向環(huán)上方，所述絕緣環(huán)的內(nèi)緣設(shè)有多個(gè)均勻分布的凸臺(tái)，相鄰的兩個(gè)凸臺(tái)之間形成缺口，所述缺口用于使所述導(dǎo)向環(huán)的凸起穿過(guò)，所述凸臺(tái)用于承托所述凸起； 升降機(jī)構(gòu)，與所述加熱機(jī)構(gòu)連接，用于驅(qū)動(dòng)所述加熱托盤升降； 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，與所述加熱機(jī)構(gòu)連接，用于驅(qū)動(dòng)所述加熱托盤旋轉(zhuǎn)；以及 控制器，被配置為：控制所述升降機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述加熱托盤和導(dǎo)向環(huán)同步上升至所述凸起穿過(guò)所述缺口到達(dá)工藝位置，對(duì)承載在所述加熱托盤上的基板進(jìn)行第一次薄膜沉積；控制所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述加熱托盤和所述導(dǎo)向環(huán)旋轉(zhuǎn)預(yù)設(shè)角度，使得所述導(dǎo)向環(huán)的凸起放置在所述絕緣環(huán)的凸臺(tái)上；以及控制所述升降機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述加熱托盤下降使得所述基板與所述加熱托盤分離，并控制所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述加熱托盤回轉(zhuǎn)所述預(yù)設(shè)角度；控制所述升降機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述加熱托盤再次上升至工藝位置并再次承載所述基板，對(duì)承載在所述加熱托盤上的基板進(jìn)行第二次薄膜沉積，其中，所述基板與所述加熱托盤的相對(duì)位置在所述第二次薄膜沉積時(shí)與所述第一次薄膜沉積時(shí)不同。

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