龍騰半導體股份有限公司麻澤眾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉龍騰半導體股份有限公司申請的專利一種抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120435038B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510920084.9，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件及其制備方法是由麻澤眾;楊樂;王鈺;馮江旭設計研發完成，并于2025-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件及其制備方法，涉及半導體功率器件技術領域。包括元胞區和應力輔助區，元胞區內設有元胞溝槽和終端溝槽，應力輔助區包括第一輔助溝槽區、第二輔助溝槽區和第三輔助溝槽區；第一輔助溝槽區設置在元胞區的上下兩側，第二輔助溝槽區設置在元胞區的左右兩側，第三輔助溝槽區設置在元胞區的四個頂角的外側；第一輔助溝槽區內設置均勻排列的第一輔助溝槽，第二輔助溝槽區內設置有均勻排列的第二輔助溝槽，第三輔助溝槽區內設置圓環形的第三輔助溝槽，第一輔助溝槽和第二輔助溝槽的排列方向均與元胞溝槽內條形溝槽的排列方向垂直。這樣，提高了抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件的良率和生產效率。
本發明授權一種抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種抑制晶圓翹曲的屏蔽柵溝槽功率器件，其特征在于，包括：元胞區和應力輔助區，所述元胞區內設有元胞溝槽和終端溝槽，所述元胞溝槽為均勻排布的條形溝槽，所述應力輔助區包括第一輔助溝槽區、第二輔助溝槽區和第三輔助溝槽區； 所述第一輔助溝槽區設置在所述元胞區的上下兩側，所述第二輔助溝槽區設置在所述元胞區的左右兩側，所述第三輔助溝槽區設置在所述元胞區的四個頂角的外側； 所述第一輔助溝槽區內設置有均勻排列的第一輔助溝槽，所述第二輔助溝槽區內設置有均勻排列的第二輔助溝槽，所述第一輔助溝槽的排列方向與所述第二輔助溝槽的排列方向平行，所述第三輔助溝槽區內設置有圓環形的第三輔助溝槽，所述第一輔助溝槽的排列方向、所述第二輔助溝槽的排列方向均與所述元胞溝槽內條形溝槽的排列方向垂直； 所述第一輔助溝槽的寬度、所述第二輔助溝槽的寬度和所述第三輔助溝槽的寬度，均與所述元胞溝槽的寬度相等。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人龍騰半導體股份有限公司，其通訊地址為：710018 陜西省西安市經濟技術開發區鳳城十二路1號西安關中綜合保稅區A區龍騰產業園；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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