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龍圖騰網獲悉蘇州敏芯微電子技術股份有限公司申請的專利一種MEMS結構的形成方法以及MEMS結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120440833B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510940528.5，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種MEMS結構的形成方法以及MEMS結構是由劉青;翁國軍設計研發完成，并于2025-07-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MEMS結構的形成方法以及MEMS結構在說明書摘要公布了：本申請公開了一種MEMS結構的形成方法以及MEMS結構。所述方法包括：提供第一襯底；形成功能層，功能層包括位于第一面的第一犧牲層、位于第一犧牲層表面的第一振膜、位于第一振膜表面的第二犧牲層、位于第二犧牲層表面的背極板和位于第二犧牲層、背極板表面的第三犧牲層；刻蝕第三犧牲層和第二犧牲層，在功能層內形成暴露出第一振膜的凹槽；在凹槽內和位于凹槽周圍的部分第三犧牲層表面形成支撐結構；去除部分第二犧牲層和部分第三犧牲層，在功能層內形成暴露出部分第一振膜、背極板和支撐結構的空腔；在支撐結構遠離第一襯底一側形成第二振膜。通過上述技術特征的設置，能夠提高對第二振膜支撐的穩定性和可靠性，并簡化制作工藝。

本發明授權一種MEMS結構的形成方法以及MEMS結構在權利要求書中公布了：1.一種MEMS結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一襯底； 在所述第一襯底的第一面形成功能層，所述功能層包括位于第一面的第一犧牲層、位于所述第一犧牲層表面的第一振膜、位于所述第一振膜表面的第二犧牲層、位于所述第二犧牲層表面的背極板以及第三犧牲層，所述背極板具有多個開口，所述第三犧牲層位于所述背極板表面，并填充所述多個開口；所述開口在垂直于所述第一面的方向上具有第一投影； 刻蝕所述第三犧牲層和所述第二犧牲層，在所述功能層內形成暴露出所述第一振膜的凹槽，所述凹槽在垂直于所述第一面的方向上具有第二投影，所述第二投影位于所述第一投影內部； 在所述凹槽內以及位于所述凹槽周圍的部分第三犧牲層表面形成支撐結構；所述支撐結構包括位于所述凹槽內的第一部以及位于第一部遠離第一襯底一端的第二部；所述第一部在垂直于所述第一面的方向上具有第三投影，所述第二部在垂直于所述第一面的方向上具有第四投影，所述第三投影位于所述第四投影內部；所述第二部基于對位于所述第三犧牲層表面的部分支撐層進行圖形化得到； 去除部分所述第二犧牲層以及部分所述第三犧牲層，在所述功能層內形成暴露出部分第一振膜、所述背極板和所述支撐結構的空腔； 在所述支撐結構遠離所述第一襯底一側形成第二振膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州敏芯微電子技術股份有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業園區旺家浜巷8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。