江蘇芯德半導體科技股份有限公司程錢錢獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇芯德半導體科技股份有限公司申請的專利一種晶圓級砷化鎵芯片散熱封裝結構及封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120511238B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510994610.6，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權一種晶圓級砷化鎵芯片散熱封裝結構及封裝方法是由程錢錢;張夢瑞;張衛設計研發完成，并于2025-07-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶圓級砷化鎵芯片散熱封裝結構及封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種晶圓級砷化鎵芯片散熱封裝結構及封裝方法，該封裝結構中將主芯片和砷化鎵芯片通過重布線層實現平面互聯，在砷化鎵芯片背面涂覆有高導熱或高導熱散熱膠或貼有高導熱DAF膜與上方的高導熱晶片粘貼，形成高密度的互聯重構芯片，重構芯片通過金屬凸點與基板焊接互聯，在基板與重構芯片頂部蓋有散熱蓋，或者在基板上貼裝散熱環同時在重構芯片頂部蓋有散熱鰭片，使散熱蓋或散熱鰭片與高導熱晶片直接粘接接觸，砷化鎵芯片經高導熱晶片、散熱蓋或散熱鰭片將內部熱量傳導出去。本申請相較于傳統的砷化鎵芯片嵌入式封裝結構而言，塑封料減少且塑封厚度減薄，能夠減少翹曲，就封裝方法而言能降低加工難度，且導熱效果顯著提高。
本發明授權一種晶圓級砷化鎵芯片散熱封裝結構及封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓級砷化鎵芯片散熱封裝結構，其特征在于，包括主芯片、砷化鎵芯片、高導熱晶片和重布線層，所述主芯片和砷化鎵芯片設于重布線層的同一側，且主芯片和砷化鎵芯片通過重布線層實現平面互聯，所述砷化鎵芯片的頂部通過高導熱銀膠或高導熱散熱膠或高導熱DAF膜貼裝高導熱晶片，所述主芯片、砷化鎵芯片和高導熱晶片的四周塑封形成塑封層，所述高導熱晶片的背面暴露于塑封層的表面，所述重布線層的另一側設于金屬凸點。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇芯德半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市浦口區浦口經濟開發區林春路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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