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龍圖騰網(wǎng)獲悉麥斯塔微電子(深圳)有限公司申請(qǐng)的專利MEMS諧振器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120512119B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202511001643.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03H9/24；該發(fā)明授權(quán)MEMS諧振器及其制備方法是由黃壽設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本MEMS諧振器及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種MEMS諧振器及其制備方法，MEMS諧振器制備方法包括：形成一高摻雜的單晶硅摻雜層，以作為支撐基底；在所述單晶硅摻雜層上形成壓電材料層；通過(guò)磁控濺射工藝，在具有第一目標(biāo)壓力的設(shè)備腔室中，以設(shè)定沉積速率在所述壓電材料層上形成合金材料層；刻蝕所述單晶硅摻雜層、所述壓電材料層和所述合金材料層構(gòu)建的疊層結(jié)構(gòu)層，形成諧振器本體、連接梁及錨固件，其中，所述諧振器本體經(jīng)所述連接梁與所述錨固件連接。本申請(qǐng)?zhí)岣進(jìn)EMS諧振器的機(jī)電耦合效率和品質(zhì)因數(shù)，以及保證MEMS諧振器的溫度穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)MEMS諧振器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MEMS諧振器制備方法，其特征在于，包括： 形成一高摻雜的單晶硅摻雜層，以作為支撐基底； 在所述單晶硅摻雜層上形成壓電材料層； 通過(guò)磁控濺射工藝，在具有第一目標(biāo)壓力的設(shè)備腔室中，以設(shè)定沉積速率在所述壓電材料層上形成合金材料層，包括在所述設(shè)備腔室中配置Fe-36Ni合金靶，對(duì)所述設(shè)備腔室進(jìn)行抽真空，且使所述設(shè)備腔室達(dá)到目標(biāo)真空度，向所述設(shè)備腔室通入氬氣，直至所述設(shè)備腔室達(dá)到所述第一目標(biāo)壓力，以第一濺射功率作用于所述Fe-36Ni合金靶，使所述合金材料層以所述設(shè)定沉積速率形成在壓電材料層上，其中，所述Fe-36Ni合金靶的Fe與Ni的原子比為64:36； 刻蝕所述單晶硅摻雜層、所述壓電材料層和所述合金材料層構(gòu)建的疊層結(jié)構(gòu)層，形成諧振器本體、連接梁及錨固件，其中，所述諧振器本體經(jīng)所述連接梁與所述錨固件連接。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人麥斯塔微電子(深圳)有限公司，其通訊地址為：518049 廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路136號(hào)深圳新一代產(chǎn)業(yè)園1棟401；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。