深圳市耀威鍍膜科技有限公司鄭葳獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市耀威鍍膜科技有限公司申請的專利一種濺射沉積絕緣涂層及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN120555953B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202511080785.2，技術領域涉及：C23C14/16；該發(fā)明授權一種濺射沉積絕緣涂層及其制備方法是由鄭葳;賓妙;郝勇設計研發(fā)完成，并于2025-08-04向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本一種濺射沉積絕緣涂層及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種濺射沉積絕緣涂層及其制備方法，屬于絕緣涂層技術領域。本發(fā)明通過對金屬基體進行電化學拋光，獲得光滑平整且具有一定粗糙度的預處理金屬基體，然后通過在預處理金屬基體表面濺射沉積Cr?Ce合金涂層，并控制Cr?Ce合金涂層中Ce元素的質量分數(shù)，可以確保Cr?Ce合金涂層和預處理金屬基體之間具有較高的結合強度，并且可以使Cr?Si?C絕緣涂層在Cr?Ce合金涂層表面具有良好的附著，進而提高絕緣涂層的使用壽命。本發(fā)明制備的濺射沉積絕緣涂層表現(xiàn)出良好的絕緣性能，并且絕緣涂層和不銹鋼基底之間具有較大的結合強度。
本發(fā)明授權一種濺射沉積絕緣涂層及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種濺射沉積絕緣涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將金屬基體進行清洗、電化學拋光，得到預處理金屬基體；然后在預處理金屬基體表面濺射沉積Cr-Ce合金涂層，Cr-Ce合金涂層的厚度為2~4μm，Cr-Ce合金涂層中Ce元素的質量分數(shù)為4.5~5.8%，余量為Cr元素；最后在Cr-Ce合金涂層表面濺射沉積Cr-Si-C絕緣涂層；所述電化學拋光時的電解拋光液由水、硫脲、改性磷酸和2-二乙醇胺基乙磺酸組成，硫脲的質量分數(shù)為1~3%，改性磷酸的質量分數(shù)為10~15%，2-二乙醇胺基乙磺酸的質量分數(shù)為20~35%；改性磷酸的結構如下： 。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人深圳市耀威鍍膜科技有限公司，其通訊地址為：518100 廣東省深圳市寶安區(qū)沙井街道和一興業(yè)西12號金美威工業(yè)園第一棟廠房第三層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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