納晶科技股份有限公司柯友獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉納晶科技股份有限公司申請的專利一種光電器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113140677B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010062641.5，技術領域涉及：H10K85/10；該發明授權一種光電器件及其制備方法是由柯友;郭薔設計研發完成，并于2020-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光電器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光電器件及其制備方法，該光電器件包括陽極層、陰極層以及功能層，功能層設于陽極層和陰極層之間，功能層包括空穴傳輸層、界面層以及鈣鈦礦層，界面層設于空穴傳輸層和鈣鈦礦層之間，界面層的材料為兩性離子聚合物，兩性離子聚合物具有正電荷基團和負電荷基團。從而通過在空穴傳輸層和鈣鈦礦層之間增加界面層來填補界面缺陷，緩解空穴傳輸層的熒光猝滅現象，提高鈣鈦礦層的熒光量子效率。
本發明授權一種光電器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光電器件，其特征在于，包括陽極層、陰極層以及功能層，所述功能層設于所述陽極層和所述陰極層之間，所述功能層包括空穴傳輸層、界面層以及鈣鈦礦層，所述界面層設于所述空穴傳輸層和所述鈣鈦礦層之間，所述界面層的材料為兩性離子聚合物，所述兩性離子聚合物具有正電荷基團和負電荷基團，其中，所述正電荷基團為含N、C、S或P的陽離子基團，所述負電荷基團為磷酸根、磷酸酯根、亞磷酸根、羧酸根、磺酸根、硫酸根或磺酰胺根，所述兩性離子聚合物的化學結構如式（1）~（3）中任一所示： ； 其中，x=0~10，n=10~1000，R⊕為兩性離子聚合物中的正電荷基團,為兩性離子聚合物中的負電荷基團。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人納晶科技股份有限公司，其通訊地址為：310052 浙江省杭州市濱江區長河街道秋溢路428號3幢3樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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