合肥睿科微電子有限公司二宮健生獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥睿科微電子有限公司申請的專利具有防止存儲器件內形成空洞的改進式存儲器單元結構的存儲器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114365299B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080017725.5，技術領域涉及：H10N50/01；該發明授權具有防止存儲器件內形成空洞的改進式存儲器單元結構的存儲器件是由二宮健生設計研發完成，并于2020-08-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有防止存儲器件內形成空洞的改進式存儲器單元結構的存儲器件在說明書摘要公布了：一種存儲器件包括存儲器單元，該存儲器單元包括底電極，頂電極以及設于所述底電極和所述頂電極之間的介電層。所述底電極具有第一寬度W1。所述頂電極具有頂面，該頂面具有介于該頂面的兩邊緣之間的第二寬度W2。所述存儲器單元具有從所述底電極的底面延伸至所述頂電極的頂面的第一高度H1。所述存儲器件還包括與所述頂電極連接的頂部接觸導線。該頂部接觸導線具有寬度為第三寬度W3的頂面、處于兩個相鄰存儲器單元之間的第二高度H2以及延伸于所述頂部接觸導線的頂面與所述絕緣層之間的第三高度H3，其中，W1W3W2，而且H2H1H3。
本發明授權具有防止存儲器件內形成空洞的改進式存儲器單元結構的存儲器件在權利要求書中公布了：1.一種存儲器件，其特征在于，包括： 存儲器單元，所述存儲器單元包括底電極，頂電極以及設置于所述底電極和所述頂電極之間的介電層，其中： 所述底電極具有第一寬度W1； 所述頂電極具有頂面，其中，所示頂面具有介于所述頂面的兩邊緣之間的第二寬度W2；以及 所述存儲器單元具有從所述底電極的底面延伸至所述頂電極的所述頂面的第一高度H1； 覆蓋所述存儲器單元的側面的絕緣層；以及 經所述絕緣層內的開孔與所述頂電極連接的頂部接觸導線，其中，所述頂部接觸導線具有為第三寬度W3的頂面、處于兩個相鄰的所述存儲器單元之間的第二高度H2以及延伸于所述頂部接觸導線的所述頂面與所述絕緣層之間的第三高度H3， 其中，各所述寬度和各所述高度滿足如下條件：W1W3W2以及H2H1H3， 其中，所述介電層為電阻性金屬氧化物，所述頂電極的厚度至少為所述介電層的厚度的兩倍。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥睿科微電子有限公司，其通訊地址為：230088 安徽省合肥市合肥市高新區創新產業園二期F4棟11樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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